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SGL50N60RUFD数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

厂商型号 |
SGL50N60RUFD |
参数属性 | SGL50N60RUFD 封装/外壳为TO-264-3,TO-264AA;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 600V 80A TO264-3 |
功能描述 | IGBT,600V,50A,短路额定 |
封装外壳 | TO-264-3,TO-264AA |
制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
中文名称 | 安森美半导体 安森美半导体公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-6 23:00:00 |
人工找货 | SGL50N60RUFD价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
SGL50N60RUFD规格书详情
描述 Description
飞兆半导体的 RUFD 绝缘栅极双极性晶体管 (IGBT) 系列提供低导通和开关损耗,以及短路耐用性。RUFD 系列专为电机控制、不间断电源 (UPS) 和一般逆变器等短路耐用性是必需功能的应用而设计。
特性 Features
•50A, 600V, TC = 100°C
•低饱和电压:V CE(sat) = 2.2 V @ I C = 50A
•典型下降时间。. . . . . . . . TJ = 125°C时为0.261ns
•高速开关
•高输入阻抗
•短路额定值
应用 Application
• 运动控制-家用设备
简介
SGL50N60RUFD属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的SGL50N60RUFD晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 制造商编号
:SGL50N60RUFD
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- Status
:Active
- V(BR)CES Typ (V)
:600
- IC Max (A)
:50
- VCE(sat) Typ (V)
:2.2
- VF Typ (V)
:1.9
- Eoff Typ (mJ)
:1.03
- Eon Typ (mJ)
:1.68
- Trr Typ (ns)
:140
- Irr Typ (A)
:6
- Gate Charge Typ (nC)
:145
- Short Circuit Withstand (µs)
:-
- EAS Typ (mJ)
:-
- PD Max (W)
:250
- Co-Packaged Diode
:Yes
- Package Type
:TO-264-3
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
24+ |
NA/ |
3610 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
onsemi(安森美) |
24+ |
TO2643 |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
询价 | ||
ON/安森美 |
25+ |
TO-264 |
860000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
FAIRCHILD 仙童 |
19+ |
TO-264 |
19 |
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询价 | ||
Fairchild(飞兆/仙童) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
TO-264-3 |
30000 |
原装正品公司现货,假一赔十! |
询价 | ||
ON/安森美 |
21+ |
TO-264-3 |
8080 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
ON/安森美 |
21+ |
SMD |
30000 |
百域芯优势 实单必成 可开13点增值税 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
TO-264 |
11200 |
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询价 |