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SGL50N60RUFD数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

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厂商型号

SGL50N60RUFD

参数属性

SGL50N60RUFD 封装/外壳为TO-264-3,TO-264AA;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 600V 80A TO264-3

功能描述

IGBT,600V,50A,短路额定
IGBT 600V 80A TO264-3

封装外壳

TO-264-3,TO-264AA

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-6 23:00:00

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SGL50N60RUFD规格书详情

描述 Description

飞兆半导体的 RUFD 绝缘栅极双极性晶体管 (IGBT) 系列提供低导通和开关损耗,以及短路耐用性。RUFD 系列专为电机控制、不间断电源 (UPS) 和一般逆变器等短路耐用性是必需功能的应用而设计。

特性 Features

•50A, 600V, TC = 100°C
•低饱和电压:V CE(sat) = 2.2 V @ I C = 50A
•典型下降时间。. . . . . . . . TJ = 125°C时为0.261ns
•高速开关
•高输入阻抗
•短路额定值

应用 Application

• 运动控制-家用设备

简介

SGL50N60RUFD属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的SGL50N60RUFD晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :SGL50N60RUFD

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Status

    :Active

  • V(BR)CES Typ (V)

    :600

  • IC Max (A)

    :50

  • VCE(sat) Typ (V)

    :2.2

  • VF Typ (V)

    :1.9

  • Eoff Typ (mJ)

    :1.03

  • Eon Typ (mJ)

    :1.68

  • Trr Typ (ns)

    :140

  • Irr Typ (A)

    :6

  • Gate Charge Typ (nC)

    :145

  • Short Circuit Withstand (µs)

    :-

  • EAS Typ (mJ)

    :-

  • PD Max (W)

    :250

  • Co-Packaged Diode

    :Yes

  • Package Type

    :TO-264-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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