SGH10N60RUFDTU 分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 ONSEMI/安森美半导体

图片仅供参考，请参阅产品规格书

订购数量	价格
1+	面议

厂家型号：
SGH10N60RUFDTU
产品分类：
芯片
生产厂商：
onsemi(安森美)
库存数量：
1224
产品封装：
-
生产批号：
24+
库存类型：
热卖库存
更新时间：
2025-8-11 23:01:00

数据手册更多货源

详细信息
规格书下载

原厂料号：SGH10N60RUFDTU品牌：onsemi(安森美)

原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务

SGH10N60RUFDTU是分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。制造商onsemi(安森美)/onsemi生产封装-/TO-3P-3，SC-65-3的SGH10N60RUFDTU晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

芯片型号：
SGH10N60RUFDTU
规格书：
下载下载2
企业简称：
ONSEMI【安森美半导体】详情
厂商全称：
ON Semiconductor
中文名称：
安森美半导体公司
资料说明：
IGBT 晶体管 Dis Short Circuit Rated IGBT

产品属性

类型
描述
产品编号：
SGH10N60RUFDTU
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.8V @ 15V，10A
开关能量：
141µJ（开），215µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
15ns/36ns
测试条件：
300V，10A，20 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-3P-3，SC-65-3
供应商器件封装：
TO-3PN
描述：
IGBT 600V 16A 75W TO3P

供应商

企业：
深圳市高捷芯城科技有限公司
商铺：
进入商铺留言
联系人：
高捷芯城-敏敏
手机：
13378405761
询价：
电话：
0755-82538261
传真：
0755-82550578
地址：
深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1006号航都大厦10层

SGH10N60RUFDTU 分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 ONSEMI/安森美半导体

SGH10N60RUFDTU

产品属性

供应商

相关型号

相近型号