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SGB02N120

INFINEONTO-263

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柒号芯城电子商务(深圳)有限公司

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SGB15N120

INFINEONN/A

70000

2025+

柒号只做原装 现货价秒杀全网

深圳市昂芯微科技有限公司

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INFINEONPG-TO263-3

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瀚佳科技(深圳)有限公司

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ONTO263

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一级代理/全新原装现货/长期供应!

深圳市乾能惠电子有限公司

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DIODES/美台N/A

500000

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美台原厂超低价支持

深圳市欧立现代科技有限公司

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infineonSOT263

9250

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绝对原装现货,价格低,欢迎询购!

深圳市明嘉莱科技有限公司

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INFINEON/英飞凌明嘉莱只做原装正品现货

2510000

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TO-263

深圳市得捷芯城科技有限公司

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Infineon(英飞凌)TO-263

12421

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Infineon(英飞凌)TO-263

12421

25+

原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。

深圳市乐创天科技有限公司

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SUPER超致TO-263

45

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全新、原装

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Infineon(英飞凌)

25900

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新到现货,只有原装

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Infineon(英飞凌)TO-263

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原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。

深圳市河锋鑫科技有限公司

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ON/安森美TO263

700

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原装正品 可含税交易

深圳市创新迹电子有限公司

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INFINEON/英飞凌TO-263

9000

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原装现货,随时欢迎询价

深圳市河锋鑫科技有限公司

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英飞翎D2PAK(TO-263)

31518

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原装正品 可含税交易

深圳市天卓伟业电子有限公司

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英飞凌

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全新、原装

深圳市一线半导体有限公司

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自己现货

深圳市芯为科技有限公司

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深圳市科雨电子有限公司

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LAIRD射频元件

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就找我吧!--邀您体验愉快问购元件!

中天科工半导体(深圳)有限公司

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SGB20N60

INFINEON/英飞凌TO-263

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SGB07N120ATMA1价格

SGB07N120ATMA1价格:¥11.0101品牌:INF

生产厂家品牌为INF的SGB07N120ATMA1多少钱,想知道SGB07N120ATMA1价格是多少?参考价:¥11.0101。这里提供2026年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,SGB07N120ATMA1批发价格及采购报价,SGB07N120ATMA1销售排行榜及行情走势,SGB07N120ATMA1报价。

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深圳市鑫欧美电子有限公司,0755-82708963张小姐

SGB15N60HS

SGB15N60HS主要参数: IGBT 类型: NPT 电压 - 集射极击穿(最大值): 600V 电流 - 集电极(Ic)(最大值): 27A Current - Collector Pulsed(Icm): 60A 不同 Vge,Ic 时的 Vce(on): 3.15V @ 15V,15A 功率 - 最大值: 138W Switching Energy: 530µJ 输入类型: 标准 Gate Charge :80nC 25°C 时

SGB20N60中文资料Alldatasheet PDF

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SGB02N60功能描述:IGBT 晶体管 FAST IGBT NPT TECH 600V 2A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube

SGB02N60_06制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:Fast IGBT in NPT-technology 75% lower Eoff compared to previous generation

SGB02N60ATMA1制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans IGBT Chip N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) TO-263 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT PRODUCTS - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT NPT 600V 6A 30W TO263-3

SGB04N60功能描述:IGBT 晶体管 FAST IGBT NPT TECH 600V 4A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube

SGB04N60_06制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:Fast IGBT in NPT-technology 75% lower Eoff compared to previous generation

SGB06N60功能描述:IGBT 晶体管 FAST IGBT NPT TECH 600V 6A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube

SGB06N60_06制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:Fast IGBT in NPT-technology 75% lower Eoff compared to previous generation

SGB06N60ATMA1制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) TO-263 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT PRODUCTS - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT NPT 600V 12A 68W TO263-3

SGB07N120功能描述:IGBT 晶体管 FAST IGBT NPT TECH 1200V 8A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube

SGB07N120_07制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:Fast IGBT in NPT-technology lower Eoff compared to previous generation

产品属性

  • 产品编号:

    SGB

  • 制造商:

    TE Connectivity Laird

  • 类别:

    RF/IF,射频/中频和 RFID > RF 配件

  • 包装:

    散装

  • 描述:

    ACCY MOB SPRING GUARD B\u0026C BLACK