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SG12N06P

Discrete IGBTs

文件:202.12 Kbytes 页数:2 Pages

SIRECT

矽莱克半导体

SG12N06P

Discrete IGBTs

文件:198.75 Kbytes 页数:2 Pages

SIRECTIFIER

矽莱克电子

SG12N06T

Discrete IGBTs

文件:108.84 Kbytes 页数:2 Pages

SIRECTIFIER

矽莱克电子

SG12N06T

Discrete IGBTs

文件:112.49 Kbytes 页数:2 Pages

SIRECT

矽莱克半导体

STD12N06

N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR

N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR ■ TYPICAL RDS(on) = 0.1 Ω ■ AVALANCHE RUGGED TECHNOLOGY ■ 100 AVALANCHE TESTED ■ REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100oC ■ LOW GATE CHARGE ■ HIGH CURRENT CAPABILITY ■ 175°C OPERATING TEMPERATURE ■ APPLICATION ORIENTED CHARACTERIZATION ■ THR

文件:177.93 Kbytes 页数:10 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

详细参数

  • 型号:

    SG12N06P

  • 制造商:

    SIRECTIFIER

  • 制造商全称:

    Sirectifier Semiconductors

  • 功能描述:

    绝缘栅双极型晶体管(IGBT)Isolated Gate Bipolar Transistor(IGBTs),IGBT分立器件Discrete IGBTs。

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
SG13
25+
9317
9317
询价
Ametherm
24+
DIP
17900
浪涌电流限制器
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AMETHERM
25+
电路保护
3917
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Ametherm
22+
NA
69
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23+
SMD
11200
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McLean
13
全新原装 货期两周
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McLean
2022+
9
全新原装 货期两周
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Hoffman
2020+
N/A
8
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Microsemi
24+
CDIP
4000
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2450+
SOT23
9850
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更多SG12N06P供应商 更新时间2025-12-7 16:20:00