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SPM-8101WG	文件：221.32 Kbytes Page：5 Pages	3.3V/1310nm/4.25GbpsDigitalDiagnosticLCMULTI-MODESFPTRANSCEIVER	OPTOWAY Optoway Technology Inc	OPTOWAY
TPCF8101	文件：187.07 Kbytes Page：6 Pages	TOSHIBAFieldEffectTransistorSiliconPChannelMOSType(U-MOSIII) NotebookPCApplications PortableEquipmentApplications •Lowdrain-sourceONresistance:RDS(ON)=22mΩ(typ.) •Highforwardtransferadmittance:\|Yfs\|=14S(typ.) •Lowleakagecurrent:IDSS=−10μA(max)(VDS=−12V) •Enhancementmodel:Vth=−0.5to−1.2V	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TPCF8101	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TPCF8101	文件：212.74 Kbytes Page：7 Pages	TOSHIBAFieldEffectTransistorSiliconPChannelMOSType(U-MOSIII)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TPCP8101	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TPCP8101	文件：227 Kbytes Page：7 Pages	TOSHIBAFieldEffectTransistorSiliconP-ChannelMOSType(U-MOSIII) NotebookPCApplications PortableEquipmentApplications •Smallfootprintduetosmallandthinpackage •Lowdrain-sourceON-resistance:RDS(ON)=24mΩ(typ.) •Highforwardtransferadmittance:\|Yfs\|=14S(typ.) •Lowleakagecurrent:IDSS=-10μA(max)(VDS=-20V) •Enhancementmo	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TPCS8101	文件：323.41 Kbytes Page：7 Pages	TOSHIBAFieldEffectTransistorSiliconPChannelMOSType(U-MOSII) LithiumIonBatteryApplications PortableEquipmentApplications NotebookPCs ●Smallfootprintduetosmallandthinpackage ●Lowdrain-sourceONresistance:RDS(ON)=15mΩ(typ.) ●Highforwardtransferadmittance:\|Yfs\|=12S(typ.) ●Lowleakagecurrent:IDSS=−10µA(max)(VDS=−3	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TPIC8101	文件：242.27 Kbytes Page：18 Pages	KNOCKSENSORINTERFACE	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
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