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SFU9210	文件：257.97 Kbytes Page：7 Pages	Advanced Power MOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
SFU9210	文件：345.8 Kbytes Page：2 Pages	isc P-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SIHFD9210	文件：1.45559 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThePowerMOSFETstechnologyisthekeytoVishayadvancedlineofPowerMOSFETtransistors.TheefficientgeometryanduniqueprocessingofthePowerMOSFETsdesignarchieveverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductanceandextremedeviceruggedness. The4pinDIP	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHFR9210	文件：888.74 Kbytes Page：13 Pages	PowerMOSFET FEATURES •DynamicdV/dtrating •Repetitiveavalancherated •Surface-mount(IRFR9210,SiHFR9210) •Straightlead(IRFU9210,SiHFU9210) •Availableintapeandreel •P-channel •Fastswitching •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHFR9210	文件：1.5825 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThePowerMOSFETstechnologyisthekeytoVishay’sadvancedlineofPowerMOSFETtransistors.TheefficientgeometryanduniqueprocessingofthePowerMOSFETdesignachieveverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductanceandextremedeviceruggedness. TheDPAK	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHFR9210	文件：4.09862 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThePowerMOSFETstechnologyisthekeytoVishay’sadvancedlineofPowerMOSFETtransistors.TheefficientgeometryanduniqueprocessingofthePowerMOSFET designachieveverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductanceandextremedeviceruggedness. TheDP	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
SIHFR9210	文件：4.45842 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThePowerMOSFETstechnologyisthekeytoVishay’sadvancedlineofPowerMOSFETtransistors.TheefficientgeometryanduniqueprocessingofthePowerMOSFET designachieveverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductanceandextremedeviceruggedness. TheDP	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
SIHFR9210	文件：4.46201 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThePowerMOSFETstechnologyisthekeytoVishay’sadvancedlineofPowerMOSFETtransistors.TheefficientgeometryanduniqueprocessingofthePowerMOSFET designachieveverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductanceandextremedeviceruggedness. TheDP	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
SIHFR9210	文件：4.09862 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThePowerMOSFETstechnologyisthekeytoVishay’sadvancedlineofPowerMOSFETtransistors.TheefficientgeometryanduniqueprocessingofthePowerMOSFET designachieveverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductanceandextremedeviceruggedness. TheDP	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
SIHFR9210T	文件：1.5825 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThePowerMOSFETstechnologyisthekeytoVishay’sadvancedlineofPowerMOSFETtransistors.TheefficientgeometryanduniqueprocessingofthePowerMOSFETdesignachieveverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductanceandextremedeviceruggedness. TheDPAK	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

详细参数

型号：
SFU9210
制造商：
FAIRCHILD
制造商全称：
Fairchild Semiconductor
功能描述：
Advanced Power MOSFET

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