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SFU4N65E数据手册HI-SEMICON中文资料规格书

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厂商型号

SFU4N65E

功能描述

高压功率MOSFETs

制造商

HI-SEMICON Shenzhen HI-SEMICON Electronic Co., Ltd.

中文名称

深鸿盛电子 深圳市深鸿盛电子有限公司

数据手册

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更新时间

2025-8-8 18:56:00

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SFU4N65E规格书详情

描述 Description

SFU4N65E N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管,采用业界领先的VDMOS工艺技术制造而成。具有低导通损耗,耐高压,抗冲击能力强等特点。

技术参数

  • 制造商编号

    :SFU4N65E

  • 生产厂家

    :HI-SEMICON

  • Channel

    :N

  • VDS[max] (V)

    :650

  • VGS(V)

    :±30

  • ID[max](25℃) (A)

    :4

  • PD[25℃] (W)

    :79

  • VGS(th)[min] (V)

    :2.0

  • VGS(th)[max] (V)

    :4.0

  • RDS(on)[typ] (@10V) (Ω)

    :2.3

  • Ciss(typ)(pF)

    :445

  • QG[typ](nC)

    :12.8

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