SFU4003T数据手册HI-SEMICON中文资料规格书
SFU4003T规格书详情
描述 Description
SFU4003T N沟道增强型低压功率MOS场效应晶体管,采用深鸿盛最新的SGT-MOS结构设计及制造工艺,有效地降低了产品的RonSP及寄生量。具有低导通内阻,低Ciss、Qg等特点。
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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MURATA/村田 |
24+ |
NA/ |
5250 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
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村田 |
24+ |
DIP |
2987 |
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SAGE millimeter |
24+ |
模块 |
400 |
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SEMIWELL |
22+ |
TO-251 |
25000 |
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MURATA/村田 |
25+ |
NA |
880000 |
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LMN |
23+ |
11200 |
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SOURCE PHOTONICS |
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SOURCEPHOTONICS |
24+ |
MODULE |
21574 |
郑重承诺只做原装进口现货 |
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24+ |
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HI-SEM |
18+ |
TO-251 |
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保证进口原装可开17%增值税发票 |
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