1.6 AMPS 200 - 400 VOLTS SILICON CONTROLLED RECTIFIER

文件：112.41 Kbytes 页数：2 Pages

SSDI

SILICON CONTROLLED RECTIFIER

文件：111.78 Kbytes 页数：2 Pages

SSDI

1.6 A, 400 V Silicon Controlled Rectifier

• Low-Level Gate Characteristics\n• IGT = 200 μA (Max) @ 25°C\n• Low Holding Current IH = 1 mA (Max) @ 25°C\n• Anode Common to Case\n• Hermetically Sealed;

SSDI

P-Channel 8 V (D-S) MOSFET

文件：178.28 Kbytes 页数：4 Pages

VishayVishay Siliconix

威世科技

P-Channel 8 V (D-S) MOSFET

文件：196.31 Kbytes 页数：9 Pages

VishayVishay Siliconix

威世科技

20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Application Load/Power Switching Interfacing Switching Logic Level Shift

文件：3.49083 Mbytes 页数：6 Pages

TECHPUBLIC

台舟电子