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SFR20S20FA

快速恢复二极管

SFR20S20T/F/FA是一款超快恢复二极管器件,采用了先进的硅外延平面工艺制作,在工艺参数和图形结构上都进行了精心的设计,使得该系列产品具有较低的正向压降和超快的反向恢复时间。\n\n 精确的外延掺杂控制、先进的平面结终端保护结构以及铂掺杂控制少子寿命保证了该产品具有最佳的综合参数、很高的耐用性和可靠性指标。\n\n 该产品可广泛应用于开关电源、不间断电源、直流-直流转换器的输出整流级,同时可作为低压转换和断路电机驱动的续流二极管。\n\n • 35ns的超快恢复时间\n• 低的正向压降\n• 漏电流小\n• 175°C工作结温;

Silan

士兰微

SFR20S20FA

20.0 Ampere Insulated Dual Common Cathode Ultra Fast Recovery Rectifiers

文件:736.65 Kbytes 页数:2 Pages

THINKISEMI

思祁半导体

SFR20S20T

20.0 Ampere Heatsink Dual Common Cathode Ultra Fast Recovery Rectifiers

文件:758.64 Kbytes 页数:2 Pages

THINKISEMI

思祁半导体

20S20FA

20.0 Ampere Insulated Dual Common Cathode Super Fast Recovery Rectifiers

文件:280.28 Kbytes 页数:2 Pages

THINKISEMI

思祁半导体

20S20FA

20.0 Ampere Insulated Dual Common Cathode Ultra Fast Recovery Rectifiers

文件:736.64 Kbytes 页数:2 Pages

THINKISEMI

思祁半导体

FS20S20CT

20.0 Ampere Surface Mount Dual Series Connection Ultra Fast Recovery Rectifiers

Features ※ ThinkiSemi latest&matured process FRD/FRED ※ Low forward voltage drop ※ High current capability ※ Low reverse leakage current ※ High surge current capability Application ※ Automotive Inverters and Solar Inverters ※ Car Audio Amplifiers and Sound Device Systems ※ Plating Power S

文件:314.2 Kbytes 页数:2 Pages

THINKISEMI

思祁半导体

技术参数

  • Status:

    Sample

  • Process:

    Silicon Epitaxial Planar

  • IFAV:

    20(2 dies)

  • IFSM:

    100

  • VFMax:

    1

  • IRMax:

    5

  • TRR Max:

    35

  • Package:

    TO-220FA-3L

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
SILAN/士兰微
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TO-220FA-3L
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更多SFR20S20FA供应商 更新时间2026-1-23 9:02:00