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MAX4230AXK+T	文件：1.25497 Mbytes Page：28 Pages	HighOutput-Drive,10MHz,10V/mus,Rail-to-RailI/OOpAmpswithShutdowninSC70 GeneralDescription TheMAX4230–MAX4234single/dual/quad,high-outputdriveCMOSopampsfeature200mAofpeakoutputcurrent,rail-to-railinput,andoutputcapabilityfromasingle2.7Vto5.5Vsupply.Theseamplifiersexhibitahighslewrateof10V/µsandagain-bandwidthproduct(GBWP)of10	MaximMaximIntegrated 美信半导体	Maxim
Si4230DY	文件：261.45 Kbytes Page：10 Pages	DualN-Channel30-V(D-S)MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SI4230DY	文件：120.21 Kbytes Page：7 Pages	DualN-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-free •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgandUISTested APPLICATIONS •LowCurrentDC/DC •NotebookPC -SystemPower	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SWFC4230	文件：303.99 Kbytes Page：3 Pages	SingleWindowSingleModeWidebandFiberCoupler	OPLINK Oplink Communications, LLC	OPLINK
SWFC4230A	文件：190.99 Kbytes Page：3 Pages	MiniSingleWindowSingleModeFiberCoupler	OPLINK Oplink Communications, LLC	OPLINK
SWFC4230P	文件：190.99 Kbytes Page：3 Pages	MiniSingleWindowSingleModeFiberCoupler	OPLINK Oplink Communications, LLC	OPLINK
TGF4230	文件：178.77 Kbytes Page：7 Pages	1.2mmDiscreteHFET DESCRIPTION TheTriquintTGF4230-EEUisasinglegate1.2mmDiscreteGaAsHeterostructureFieldEffectTransistor(HFET)designedforhigh-efficiencypowerapplicationsupto12-GHzinClassAandClassABoperation. Bond-padandbacksidemetalizationisgoldplatedforcompatibilitywith	TriQuint TriQuint Semiconductor	TriQuint
TGF4230-EEU	文件：178.77 Kbytes Page：7 Pages	1.2mmDiscreteHFET DESCRIPTION TheTriquintTGF4230-EEUisasinglegate1.2mmDiscreteGaAsHeterostructureFieldEffectTransistor(HFET)designedforhigh-efficiencypowerapplicationsupto12-GHzinClassAandClassABoperation. Bond-padandbacksidemetalizationisgoldplatedforcompatibilitywith	TriQuint TriQuint Semiconductor	TriQuint
TGF4230-SCC	文件：221.41 Kbytes Page：9 Pages	DC-12GHzDiscreteHFET Description TheTriQuintTGF4230-SCCisasinglegate1.2mmDiscreteGaAsHeterostructureFieldEffectTransistor(HFET)designedforhigh-efficiencypowerapplicationsupto12GHzinClassAandClassABoperation. Bond-padandbacksidemetalizationisgoldplatedforcompatibilitywithe	TriQuint TriQuint Semiconductor	TriQuint
TGF4230-SCC	文件：226.73 Kbytes Page：9 Pages	DC-12GHzDiscreteHFET	TriQuint TriQuint Semiconductor	TriQuint
TJ4230	文件：211.38 Kbytes Page：9 Pages	3AUltraLowDropoutLinearRegulator	HTCHTC KOREA 韩国泰进技术股份有限公司	HTC
TJ4230GDP-ADJ	文件：211.38 Kbytes Page：9 Pages	3AUltraLowDropoutLinearRegulator	HTCHTC KOREA 韩国泰进技术股份有限公司	HTC
XBTGT4230	文件：80.87 Kbytes Page：5 Pages	advancedtouchscreenpanel-640x480pixelsVGA-10.4-TFTLCD-24VDC	SCHNEIDERSchneider electric 施耐德施耐德电气	SCHNEIDER
XF4230	文件：469.04 Kbytes Page：1 Pages	DATASUBJECTTOCHANGEWITHOUTNOTLCE	HAMMOND Hammond Manufacturing Ltd.	HAMMOND

详细参数

型号：
SFH4230
功能描述：
EMITTER IR 850NM HI POWER SMD
RoHS：
是
类别：
光电元件 >> 红外发射极
系列：
-
标准包装：
1,200
系列：
- 电流 - DC
正向(If)：
100mA
辐射强度(le)最小值@正向电流：
27mW/sr @ 100mA
波长：
940nm
正向电压：
1.6V
视角：
40°
方向：
顶视图
安装类型：
通孔
封装/外壳：
径向
包装：
带卷(TR)

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多SFH4230供应商更新时间2024-5-21 15:30:00

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