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SFF4N60E

4A,600V N-CHANNEL MOSFET

SFF4N60E N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管,采用业界领先的VDMOS工艺技术制造而成。具有低导通损耗,耐高压,抗冲击能力强等特点。

HI-SEMICON

深鸿盛电子

SIF4N60D

N-CHANNEL POWER MOSFET

文件:460.06 Kbytes 页数:9 Pages

SISEMICShenzhen SI Semiconductors Co.,LTD.

深爱半导体深圳深爱半导体股份有限公司

SLB4N60C

600V N-Channel MOSFET

文件:288.85 Kbytes 页数:6 Pages

MAPLESMIShenzhen Meipusen Semiconductor Co., Ltd

美浦森半导体深圳市美浦森半导体有限公司

SLD4N60C

600V N-Channel MOSFET

文件:325.94 Kbytes 页数:6 Pages

MAPLESMIShenzhen Meipusen Semiconductor Co., Ltd

美浦森半导体深圳市美浦森半导体有限公司

技术参数

  • Channel:

    N

  • VDS[max] (V):

    600

  • VGS(V):

    ±30

  • ID[max](25℃) (A):

    4

  • PD[25℃] (W):

    33

  • VGS(th)[min] (V):

    2.0

  • VGS(th)[max] (V):

    4.0

  • RDS(on)[typ] (@10V) (Ω):

    2

  • Ciss(typ)(pF):

    405

  • QG[typ](nC):

    12.7

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更多SFF4N60E供应商 更新时间2026-1-17 10:59:00