SFF10N60数据手册HI-SEMICON中文资料规格书
SFF10N60规格书详情
描述 Description
SFF10N60 N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管,采用业界领先的VDMOS工艺技术制造而成。具有低导通损耗，耐高压，抗冲击能力强等特点。
技术参数
- 制造商编号
：SFF10N60
- 生产厂家
：HI-SEMICON
- Channel
：N
- VDS[max] (V)
：600
- VGS(V)
：±30
- ID[max](25℃) (A)
：10
- PD[25℃] (W)
：48
- VGS(th)[min] (V)
：2.0
- VGS(th)[max] (V)
：4.0
- RDS(on)[typ] (@10V) (Ω)
：0.77
- Ciss(typ)(pF)
：1256
- QG[typ](nC)
：27.6
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
DACO |
1926+ |
TO-220F |
6852 |
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询价 | ||
SANREX |
24+ |
MODULE |
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DACO |
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TO220 |
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25000 |
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SANREX |
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MODULE |
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SANYO/三洋 |
TO-252 |
22+ |
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SESCO |
专业铁帽 |
CAN10 |
1 |
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WISDOM |
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TO220F |
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WISDOM |
23+ |
TO220F |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 |
