SFD2006T中文资料20V, 60A N-CHANNEL POWER MOSFET数据手册HI-SEMICON规格书
SFD2006T规格书详情
描述 Description
SFD2006T N沟道增强型低压功率MOS场效应晶体管，采用深鸿盛最新的SGT-MOS结构设计及制造工艺，有效地降低了产品的RonSP及寄生量。具有低导通内阻，低Ciss、Qg等特点。
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Sage Millimeter |
24+ |
模块 |
400 |
询价 | |||
BCT |
2023+ |
N/A |
6893 |
十五年行业诚信经营,专注全新正品 |
询价 | ||
MACOM |
23+ |
NA |
25000 |
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询价 | ||
24+ |
N/A |
62000 |
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ST |
23+ |
原厂原封 |
16900 |
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询价 | ||
MACOM |
24+ |
con |
2500 |
优势库存,原装正品 |
询价 | ||
M/A-COM |
18+ |
SMD |
85600 |
保证进口原装可开17%增值税发票 |
询价 | ||
M/A-COM Technology Solutions |
2022+ |
原厂原包装 |
8600 |
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询价 | ||
SEMIWE |
24+ |
D-PAK |
990000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
BCT |
2518+ |
N/A |
9852 |
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