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SFD2006T

20V, 60A N-CHANNEL POWER MOSFET

SFD2006T N沟道增强型低压功率MOS场效应晶体管,采用深鸿盛最新的SGT-MOS结构设计及制造工艺,有效地降低了产品的RonSP及寄生量。具有低导通内阻,低Ciss、Qg等特点。

HI-SEMICON

深鸿盛电子

SFF2006

Superfast Recovery Rectifiers

文件:2.77612 Mbytes 页数:2 Pages

JUXING

广东钜兴电子

SFF2006

Superfast Recovery Rectifiers

文件:1.62563 Mbytes 页数:3 Pages

JUXING

广东钜兴电子

SFF2006CT

SUPER FAST RECTIFIERS

Feaures Glass passivated chip junctions High Forward Surge Capability Super fast recovery time for switching mode application Lead free in compliance with EU RoHS 2011/65/EU directive Low Reverse Current

文件:1.47624 Mbytes 页数:2 Pages

SUNMATE

森美特

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更多SFD2006T供应商 更新时间2025-10-9 12:00:00