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G2306	文件：383.04 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET Description TheG2306utilizedadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistance,extremelyefficientandcost-effectivenessdevice. TheSOT-23packageisuniversallyusedforallcommercial-industrialapplications. Features •Capableof2.5Vgatedrive! •Loweron-r	GTM 勤益投資控股股份有限公司	GTM
G2306A	文件：329.58 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET Description TheG2306Autilizedadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistance,extremelyefficientandcost-effectivenessdevice. TheG2306Aisuniversallyusedforallcommercial-industrialapplications. Features Capableof2.5Vgatedrive Loweron-resistanc	GTM 勤益投資控股股份有限公司	GTM
G2306A	文件：333.25 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	ETLE-Tech Electronics LTD 亞歷電子亞歷電子有限公司	ETL
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LH2306	文件：4.13074 Mbytes Page：122 Pages	P-CHANNELJFET GENERALINFORMATION/CROSSREFERENCES	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
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LMX2306	文件：338.6 Kbytes Page：19 Pages	PLLatinum??LowPowerFrequencySynthesizerforRFPersonalCommunications	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
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