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G2306	文件：383.04 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET Description TheG2306utilizedadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistance,extremelyefficientandcost-effectivenessdevice. TheSOT-23packageisuniversallyusedforallcommercial-industrialapplications. Features •Capableof2.5Vgatedrive! •Loweron-r	GTM 勤益投資控股股份有限公司
G2306	文件：395.84 Kbytes Page：4 Pages	N - C H A N N E L E N H A N C E M E N T M O D E P O W E R M O S F E T	ETL E-Tech Electronics LTD
G2306A	文件：329.58 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET Description TheG2306Autilizedadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistance,extremelyefficientandcost-effectivenessdevice. TheG2306Aisuniversallyusedforallcommercial-industrialapplications. Features Capableof2.5Vgatedrive Loweron-resistanc	GTM 勤益投資控股股份有限公司
G2306A	文件：333.25 Kbytes Page：4 Pages	N - C H A N N E L E N H A N C E M E N T M O D E P O W E R M O S F E T	ETL E-Tech Electronics LTD
G2306A	文件：2.00995 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
2306	文件：20.02 Kbytes Page：1 Pages	LowpassFilter Specifications FilterTypeLowpass InsertionLoss40dB SourceandLoadImpedance75Ω	KRKR Electronics, Inc. KR Electronics, Inc.
2306	文件：2.2638 Mbytes Page：5 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateMOSFETS N-ChannelMOSFET FEATURE ●TrenchFETPowerMOSFET APPLICATION ●LoadSwitchforPortableDevices ●DC/DCConverter	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司
2306	文件：110.66 Kbytes Page：4 Pages	3.5A竊?30VN-CHANNELMOSFET	KIAGuangdong Keyia Semiconductor Technology Co., Ltd 可易亚半导体广东可易亚半导体科技有限公司
2306	文件：992.1 Kbytes Page：8 Pages	LowVoltageandPowerApplications	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商
2306	文件：116.22 Kbytes Page：1 Pages	NylonHoseClamps	Heyco Heyco
2306LV	文件：887.54 Kbytes Page：36 Pages	ISDN/VoIP?욍꺖?잆깏?ャ궋??깤?욜뵪竊믡긽?ｃ꺍?띲꺂竊곤샬竊?궠?쇈깈?껁궚竊э설竊	AKMAKM Semiconductor Inc. 旭化成微电子旭化成微电子株式会社
2306LV	文件：893.05 Kbytes Page：36 Pages	ISDN/VoIP?욍꺖?잆깏?ャ궋??깤?욜뵪竊믡긽?ｃ꺍?띲꺂竊곤샬竊?궠?쇈깈?껁궚竊э설竊	AKMAKM Semiconductor Inc. 旭化成微电子旭化成微电子株式会社
2306-RC	文件：112.13 Kbytes Page：1 Pages	HighCurrentToroidInductors	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）
2306-RC	文件：112.13 Kbytes Page：1 Pages	HighCurrentToroidInductors	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）
2306-RC	文件：112.13 Kbytes Page：1 Pages	HighCurrentToroidInductors	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）
2306-RC	文件：112.13 Kbytes Page：1 Pages	HighCurrentToroidInductorsHorizontalorverticalmount	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）
2306-RC	文件：112.13 Kbytes Page：1 Pages	HighCurrentToroidInductors	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）
AK2306	文件：893.05 Kbytes Page：36 Pages	ISDN/VoIP?욍꺖?잆깏?ャ궋??깤?욜뵪竊믡긽?ｃ꺍?띲꺂竊곤샬竊?궠?쇈깈?껁궚竊э설竊	AKMAKM Semiconductor Inc. 旭化成微电子旭化成微电子株式会社
AK2306	文件：887.54 Kbytes Page：36 Pages	ISDN/VoIP?욍꺖?잆깏?ャ궋??깤?욜뵪竊믡긽?ｃ꺍?띲꺂竊곤샬竊?궠?쇈깈?껁궚竊э설竊	AKMAKM Semiconductor Inc. 旭化成微电子旭化成微电子株式会社
AK2306	文件：469.57 Kbytes Page：38 Pages	DualPCMCODECforISDN/VoIPTERMINALADAPTER GENERALDESCRIPTION AK2306isadualPCMCODEC-FiltermostsuitableforISDNTerminalAdapter. ItincludesSelectableA-law/u-lawfunction,InternalGainAdjustmentfrom+6dBto–18dBby1dBstepcontrol,Selectable16Hz/20HzRingToneGeneratorforSLIC.Allofthesefunctionsarecontrolledby	AKMAKM Semiconductor Inc. 旭化成微电子旭化成微电子株式会社

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详细参数

型号：
G2306
制造商：
GTM
制造商全称：
GTM
功能描述：
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市汇莱威科技有限公司	G2306	GTM		SOT23	7906200		询价
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深圳市莱克讯科技有限公司	G2306	GTM	2017+	SOT23	25896	深圳代理原装现货进口库存(香港-日本-台湾)开17点增票	询价
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