首页>SED3081M>规格书详情

SED3081M中文资料MOS(场效应管)数据手册SINO-IC规格书

PDF无图
厂商型号

SED3081M

功能描述

MOS(场效应管)

制造商

SINO-IC SINO-IC Microelectronic Co., Ltd.

中文名称

光宇睿芯微 上海光宇睿芯微电子有限公司

数据手册

下载地址下载地址二

更新时间

2025-9-26 22:59:00

人工找货

SED3081M价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货

技术参数

  • 制造商编号

    :SED3081M

  • 生产厂家

    :SINO-IC

  • 漏源电压(Vdss)

    :30V

  • 栅源极阈值电压(最大值)

    :2.5V @ 250uA

  • 漏源导通电阻(最大值)

    :7 mΩ @ 20A,10V

  • 类型

    :N 沟道

  • 功率耗散(最大值)

    :83W

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
SFI
24+
NA/
12000
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
询价
SXSEMI
24+
SOD323
900000
原装进口特价
询价
SINO-IC
23+
DFN33-8
50000
原装正品 支持实单
询价
SFI/立昌
2450+
SMD
6540
只做原装正品现货或订货!终端客户免费申请样品!
询价
EPSON
20+
QFP
500
样品可出,优势库存欢迎实单
询价
M
2402+
DIP-24
8324
原装正品!实单价优!
询价
24+
3000
自己现货
询价
M
DIP-24
68500
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货
询价
EPSON
23+
QFP
5000
原装正品,假一罚十
询价
SFI
24+
SMD
2600
原装现货假一赔十
询价