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SED3030M数据手册SINO-IC中文资料规格书

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厂商型号

SED3030M

功能描述

MOS(场效应管)

制造商

SINO-IC SINO-IC Microelectronic Co., Ltd.

中文名称

光宇睿芯微 上海光宇睿芯微电子有限公司

数据手册

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更新时间

2025-8-8 14:25:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :SED3030M

  • 生产厂家

    :SINO-IC

  • 漏源电压(Vdss)

    :30V

  • 栅源极阈值电压(最大值)

    :1.7V @ 250uA

  • 漏源导通电阻(最大值)

    :8.5 mΩ @ 25A,10V

  • 类型

    :N 沟道

  • 功率耗散(最大值)

    :40W

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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