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BC338	文件：105.98 Kbytes Page：2 Pages	GeneralPurposeSi-EpitaxialPlanarTransistors	DiotecDIOTEC 德欧泰克	Diotec
BC338	文件：167.68 Kbytes Page：3 Pages	NPNPlastic-EncapsulateTransistors FEATURES Powerdissipation PCM:0.625W（Tamb=25℃） Collectorcurrent ICM:0.8A Collector-basevoltage V(BR)CBO:BC33750V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ，Tstg:-55℃to+150℃	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
BC338	文件：215.03 Kbytes Page：1 Pages	TECHNICALSPECIFICATIONSOFNPNEPITAXIALPLANARTRANSISTOR	DCCOMDc Components 直流元件直流元件有限公司	DCCOM
BC338	文件：203.42 Kbytes Page：2 Pages	NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor forswitchingandamplifierapplications Thesetypesaresubdividedintothreegroups-16, -25and-40,accordingtotheirDCcurrentgain.	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
BC338	文件：38.82 Kbytes Page：1 Pages	TO-92Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES Powerdissipation PCM:0.625W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:0.8A Collector-basevoltage VCBO:BC33750V BC33830V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
BC338	文件：117.48 Kbytes Page：3 Pages	SWITCHINGANDAMPLIFIERAPPLICATIONS	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
BC338	文件：343.79 Kbytes Page：2 Pages	EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
BC338	文件：241.35 Kbytes Page：1 Pages	TO-92Plastic-EncapsulateTransistors(NPN) TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●Powerdissipation	TGS Tiger Electronic Co.,Ltd	TGS
BC338	文件：140.01 Kbytes Page：2 Pages	NPNSILICONAFMEDIUMPOWERTRANSISTOR THEBC337,BC338ARENPNSILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORSFORUSEINAFDRIVERANDOUTPUTSTAGES,ASWELLASFORUNIVERSALAPPLICATIONS.THEBC337,BC338ARECOMPLEMENTARYTOTHEPNPTYPEBC327,BC328RESPECTIVELY.	MICRO-ELECTRONICS Micro Electronics	MICRO-ELECTRONICS
BC338	文件：256.769 Kbytes Page：4 Pages	NPNGeneralPurposeTransistor	WEITRONWEITRON 威堂電子科技	WEITRON
BC338	文件：304.69 Kbytes Page：6 Pages	NPNEpitaxialSiliconTransistor SwitchingandAmplifierApplications •SuitableforAF-Driverstagesandlowpoweroutputstages •ComplementtoBC327/BC328	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BC338	文件：33.1 Kbytes Page：3 Pages	SwitchingandAmplifierApplications SwitchingandAmplifierApplications •SuitableforAF-Driverstagesandlowpoweroutputstages •ComplementtoBC327/BC328	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BC338	文件：243.4 Kbytes Page：3 Pages	TRANSISTOR(NPN)	KOOCHIN SHENZHEN KOO CHIN ELECTRONICS CO., LTD.	KOOCHIN
BC338	文件：83.43 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(NPN) FEATURES •HighCurrent:IC=800mA. •DCCurrentGain:hFE=100630(VCE=1V,Ic=100mA). •ForComplementarywithPNPtypeBC327.	FS First Silicon Co., Ltd	FS
BC338	文件：2.43533 Mbytes Page：31 Pages	SEMICONDUCTORS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
BC338	文件：128.07 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(NPN)	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
BC338	文件：33.1 Kbytes Page：3 Pages	SwitchingandAmplifierApplications SwitchingandAmplifierApplications •SuitableforAF-Driverstagesandlowpoweroutputstages •ComplementtoBC327/BC328	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BC338	文件：33.1 Kbytes Page：3 Pages	SwitchingandAmplifierApplications SwitchingandAmplifierApplications •SuitableforAF-Driverstagesandlowpoweroutputstages •ComplementtoBC327/BC328	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BC338	文件：122.73 Kbytes Page：5 Pages	SILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS SILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS GeneralPurposeTransistorsBestSuitedforuseinDriverandOutputStagesofAudioAmplifier	CDIL CDIL	CDIL
BC338	文件：729.81 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNPNtransistorinaTO-92(R)PlasticPackage	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN

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