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BC338	文件：27.62 Kbytes Page：3 Pages	SWITCHING AND AMPLIFIER APPLICATIONS Switching and Amplifier Applications • Suitable for AF-Driver stages and low power output stages • Complement to BC327/BC328 文件：27.62 Kbytes 页数：3 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BC338	文件：304.69 Kbytes Page：6 Pages	NPN Epitaxial Silicon Transistor Switching and Amplifier Applications • Suitable for AF-Driver stages and low power output stages • Complement to BC327/BC328 文件：304.69 Kbytes 页数：6 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BC338	文件：33.1 Kbytes Page：3 Pages	Switching and Amplifier Applications Switching and Amplifier Applications • Suitable for AF-Driver stages and low power output stages • Complement to BC327/BC328 文件：33.1 Kbytes 页数：3 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BC338	文件：33.1 Kbytes Page：3 Pages	Switching and Amplifier Applications Switching and Amplifier Applications • Suitable for AF-Driver stages and low power output stages • Complement to BC327/BC328 文件：33.1 Kbytes 页数：3 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BC338	文件：33.1 Kbytes Page：3 Pages	Switching and Amplifier Applications Switching and Amplifier Applications • Suitable for AF-Driver stages and low power output stages • Complement to BC327/BC328 文件：33.1 Kbytes 页数：3 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BC338	文件：82.68 Kbytes Page：6 Pages	Amplifier Transistors Amplifier Transistors NPN Silicon Features • Pb−Free Packages are Available* 文件：82.68 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BC338	文件：47.24 Kbytes Page：2 Pages	SWITCHING AND AMPLIFIER APPLICATIONS SWITCHING AND AMPLIFIER APPLICATIONS FEATURES * Suitable for AF-Driver stages and low power output stages * Complement to UTC BC327/328 文件：47.24 Kbytes 页数：2 Pages	UTC 友顺	UTC
BC338	文件：275.22 Kbytes Page：2 Pages	EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE, SWITCHING) GENERAL PURPOSE APPLICATION. SWITCHING APPLICATION. FEATURES • High Current : IC=800mA. • DC Current Gain : hFE=100~630 (VCE=1V, Ic=100mA). • For Complementary with PNP type BC328. 文件：275.22 Kbytes 页数：2 Pages	KEC KEC(Korea Electronics)	KEC
BC338	文件：122.73 Kbytes Page：5 Pages	SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS General Purpose Transistors Best Suited for use in Driver and Output Stages of Audio Amplifier 文件：122.73 Kbytes 页数：5 Pages	CDIL	CDIL
BC338	文件：140.47 Kbytes Page：2 Pages	Si-Epitaxial PlanarTransistors General Purpose Si-Epitaxial Planar Transistors • Power dissipation 625 mW • Plastic case TO-92(10D3) • Weight approx. 0.18 g • Plastic material has UL classification 94V-0 • Standard packaging taped in ammo pack 文件：140.47 Kbytes 页数：2 Pages	Diotec 德欧泰克	Diotec

产品属性

产品编号：
BC338
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
700mV @ 50mA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 100mA，1V
频率 - 跃迁：
100MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
供应商器件封装：
TO-92-3
描述：
TRANS NPN 25V 0.8A TO92-3

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