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SE30DT12中文资料Surface-Mount High Voltage Rectifier数据手册Vishay规格书

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厂商型号

SE30DT12

参数属性

SE30DT12 封装/外壳为TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 凸片)变型;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:1200V 30A SURFACE-MOUNT HIGH VOL

功能描述

Surface-Mount High Voltage Rectifier

封装外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 凸片)变型

制造商

Vishay Vishay Siliconix

中文名称

威世科技

数据手册

下载地址下载地址二

更新时间

2025-9-26 18:50:00

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SE30DT12规格书详情

特性 Features

Creepage and clearance distance 3.7 mm typical
Very low profile - typical height of 1.7 mm
Ideal for automated placement

应用 Application

ON Board charger (OBC)
Charging stations
Bridge function

技术参数

  • 产品编号:

    SE30DT12-M3/I

  • 制造商:

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 系列:

    eSMP®

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 二极管类型:

    标准

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    30A

  • 速度:

    标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)

  • 不同 Vr、F 时电容:

    132pF @ 4V, 1MHz

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 凸片)变型

  • 供应商器件封装:

    SMPD

  • 工作温度 - 结:

    -55°C ~ 175°C

  • 描述:

    1200V 30A SURFACE-MOUNT HIGH VOL

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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