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SE30DT12	文件：133.62 Kbytes Page：5 Pages	Surface-Mount High Voltage Rectifier FEATURES •Creepageandclearancedistance3.7mm typical •Verylowprofile-typicalheightof1.7mm •Idealforautomatedplacement •Oxideplanarchipjunction •Lowforwardvoltagedrop •AEC-Q101qualified •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeak of260°C •Materialca	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SE30DT12HM3/I	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 凸片）变型类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：1200V 30A SURFACE-MOUNT HIGH VOL	Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
SE30DT12-M3/I	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 凸片）变型类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：1200V 30A SURFACE-MOUNT HIGH VOL	Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division

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SE30DT12

文件：133.62 Kbytes

Page：5 Pages

Surface-Mount High Voltage Rectifier

FEATURES •Creepageandclearancedistance3.7mm typical •Verylowprofile-typicalheightof1.7mm •Idealforautomatedplacement •Oxideplanarchipjunction •Lowforwardvoltagedrop •AEC-Q101qualified •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeak of260°C •Materialca

VishayVishay Siliconix

威世科技

Vishay

SE30DT12HM3/I

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包装：管件封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 凸片）变型类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：1200V 30A SURFACE-MOUNT HIGH VOL

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

SE30DT12-M3/I

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包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 凸片）变型类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：1200V 30A SURFACE-MOUNT HIGH VOL

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

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更多SE30DT12供应商更新时间2024-5-29 15:00:00

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