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SFH520	文件：102.87 Kbytes Page：2 Pages	慣-棺-款-Strahlungsdetektoren慣-棺-款-RadiationDetectors Features Substrate:4600±1400Ωcm Chipthickness:381±15µm Topside:Aluminiumcontact1.4µm Aluminiumtotalcover0.1µm Backside:0.4µmAu/As ●Lowdarkcurrent ●Lowcapacitance ●Highbreakdownvoltag	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
SFH520A	文件：102.87 Kbytes Page：2 Pages	慣-棺-款-Strahlungsdetektoren慣-棺-款-RadiationDetectors Features Substrate:4600±1400Ωcm Chipthickness:381±15µm Topside:Aluminiumcontact1.4µm Aluminiumtotalcover0.1µm Backside:0.4µmAu/As ●Lowdarkcurrent ●Lowcapacitance ●Highbreakdownvoltag	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
SGPD520S	文件：240.16 Kbytes Page：5 Pages	SurfaceMountSchottkyRectifier	Good-Ark GOOD-ARK Electronics	Good-Ark
SIHF520	文件：135.35 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipa	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SiHF520	文件：282 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHF520S	文件：173.94 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHF520S	文件：212.59 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •SurfaceMount •AvailableinTapeandReel •DynamicdV/dtRating •RepetitiveAvalancheRated •175°COperatingTemperature •FastSwitching •EaseofParalleling •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHFI520G	文件：1.62794 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220FULLPAKeliminatestheneedforadditionalinsulatinghardwareincommercial-industrialapplicat	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHFI520G	文件：319.26 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SIHL520	文件：1.02845 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipa	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

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产品属性

产品编号：
SDURD520
制造商：
SMC Diode Solutions
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
二极管类型：
标准
速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商器件封装：
DPAK
工作温度 - 结：
-55°C ~ 150°C
描述：
DIODE GEN PURP 200V DPAK

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