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SDT5513	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 3-Pin TO-5	NJS	NJS
SI5513CD	文件：1.88956 Mbytes Page：6 Pages	Complementary Enhancement MOSFET 文件：1.88956 Mbytes 页数：6 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
SI5513CDC	文件：144.83 Kbytes Page：12 Pages	N- and P-Channel 20-V (D-S) MOSFET 文件：144.83 Kbytes 页数：12 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
SI5513CDC	文件：274.29 Kbytes Page：16 Pages	N- and P-Channel 20 V (D-S) MOSFET 文件：274.29 Kbytes 页数：16 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay

晶体管资料

型号：
SDT5513
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（SW）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
100V
最大电流允许值：
2A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
3DK104D,
最大耗散功率：
7W
放大倍数：
图片代号：
D-12
vtest：
100
htest：
999900
atest：
2
wtest：
7

技术参数

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
0.35V
Maximum Collector Emitter Voltage：
80V
Maximum DC Collector Current：
0.5A
Maximum Power Dissipation：
7000mW
Type：
NPN

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更多SDT5513供应商更新时间2025-12-19 16:21:00

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