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SDT5056

Trans GP BJT NPN 200V 0.5A 3-Pin TO-46

NJS

新泽西半导体

SR505

SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS(5.0A,20-60V)

文件:227.94 Kbytes 页数:3 Pages

MOSPEC

统懋

STA505

40V 3.5A QUAD POWER HALF BRIDGE

DESCRIPTION STA505 is a monolithic quad half bridge stage in Multipower BCD Technology. FEATURES ■ MULTIPOWER BCD TECHNOLOGY ■ MINIMUM INPUT OUTPUT PULSE WIDTH DISTORTION ■ 200mΩ RdsON COMPLEMENTARY DMOS OUTPUT STAGE ■ CMOS COMPATIBLE LOGIC INPUTS ■ THERMAL PROTECTION ■ THER

文件:180.52 Kbytes 页数:9 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

UPA505T

N-CHANNEL/P-CHANNEL MOS FET 5-PIN 2 CIRCUITS

The µPA505T is a mini-mold device provided with two MOS FET circuits. It achieves high-density mounting and saves mounting costs. FEATURES • Two source common MOS FET circuits in package the same size as SC-59 • Complementary MOS FETs are provided in one package. • Automatic mounting

文件:88.77 Kbytes 页数:9 Pages

NEC

瑞萨

晶体管资料

  • 型号:

    SDT5056

  • 别名:

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性质:

    开关管 (SW)

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    225V

  • 最大电流允许值:

    2A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    3DK104E,

  • 最大耗散功率:

    7W

  • 放大倍数:

    β=30-150

  • 图片代号:

    D-80

  • vtest:

    225

  • htest:

    999900

  • atest:

    2

  • wtest:

    7

技术参数

  • Maximum Collector Emitter Saturation Voltage:

    0.35V

  • Maximum Collector Emitter Voltage:

    200V

  • Maximum DC Collector Current:

    0.5A

  • Maximum Power Dissipation:

    7000mW

  • Type:

    NPN

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更多SDT505供应商 更新时间2026-4-18 15:01:00