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SDT3A5N06-C

3.5A, 60V, RDS(on) 100 m(ohm) N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件:338.4 Kbytes 页数:4 Pages

SECOS

喜可士

SDT3A5N06-C

MosFET

Secos

喜可士

SDTNRGAMA-008G

BGA

SANDISK

闪迪

上传:深圳市惠盛科技有限公司

SDT-S-105LMR

DIP

TE

SDT-S-112LMR

DIP

TE

技术参数

  • Type:

    N

  • VDSS (V):

    60

  • VGS (V):

    ± 20

  • RDS(on)(Ohms):

    100 (mΩ)

  • ID (A):

    3.5

  • PD (W):

    2

  • Package:

    DFN2x2-6J

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
SECOS
23+
DFN2x2-6L-J
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DFN2x2-6L-J
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DFN2x2-6L-J
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SSOUSA
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更多SDT3A5N06-C供应商 更新时间2026-1-31 11:10:00