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SDS120J015H5	文件：593.91 Kbytes Page：9 Pages	丝印：DS120015H5；Package：TO-247-2L；5th Generation 1200V/15A SiC Schottky Barrier Diode Revolutionary semiconductor material - Silicon Carbide (SiC) No reverse recovery High-speed switching performance Temperature-independent switching behavior System cost / size savings due to reduced cooling requirements Junction temperature range from -55℃ to 175℃ RoHS compliant 文件：593.91 Kbytes 页数：9 Pages	SANAN 三安光电	SANAN
SDS120J015H5	文件：300 bytes Page：1 Pages	碳化硅二极管	HunanSanan 湖南三安	HunanSanan
SDS511	文件：0 bytes Page：0 Pages		AUK 上传：深圳市捷盛源泰业科技有限公司	AUK
SDSDQAF3-008G-I	文件：0 bytes Page：0 Pages	存储卡	SanDisk 闪迪上传：深圳市金嘉锐电子有限公司	SanDisk
SDSDQAF3-032G-I	文件：0 bytes Page：0 Pages	存储卡	SanDisk 闪迪上传：深圳市金嘉锐电子有限公司	SanDisk

技术参数

Qualification：
Industry
VDC (V)min：
1200
IF (A)max：
15
Generation：
G5
VF (V)@Tj=25℃：
1.4
VF (V)@Tj=175℃：
2
IR (uA)@Tj=25℃：
5
QC (nC)：
70
Ptot (W)@Tc=25℃：
234
Tj (℃)：
-55℃~175℃
Configuration：
single chip
Package：
TO247-2L

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