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SDS120J002D3	文件：1.07903 Mbytes Page：9 Pages	丝印：DS120002D3；Package：TO-252-2L；3 rd Generation 1200V/2A SiC Schottky Barrier Diode Revolutionary semiconductor material Silicon Carbide (SiC No reverse recovery High speed switching performance Temperature independent switching behavior System cost / size savings due to reduced cooling requirements Junction temperature range from 55 to 175 RoHS compliant 文件：1.07903 Mbytes 页数：9 Pages	SANAN 三安光电	SANAN
SDS120J002D3	文件：300 bytes Page：1 Pages	碳化硅二极管	HunanSanan 湖南三安	HunanSanan
SDS511	文件：0 bytes Page：0 Pages		AUK 上传：深圳市捷盛源泰业科技有限公司	AUK
SDSDQAF3-008G-I	文件：0 bytes Page：0 Pages	存储卡	SANDISK 闪迪上传：深圳市金嘉锐电子有限公司	SANDISK
SDSDQAF3-032G-I	文件：0 bytes Page：0 Pages	存储卡	SANDISK 闪迪上传：深圳市金嘉锐电子有限公司	SANDISK

技术参数

Qualification：
Industry
VDC (V)min：
1200
IF (A)max：
2
Generation：
G3
VF (V)@Tj=25℃：
1.35
VF (V)@Tj=175℃：
1.85
IR (uA)@Tj=25℃：
1
QC (nC)：
12
Ptot (W)@Tc=25℃：
87
Tj (℃)：
-55℃~175℃
Configuration：
single chip
Package：
TO252-2L

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