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SDS065J020W3	文件：595.58 Kbytes Page：9 Pages	Marking：DS065020W3；Package：TO-3PF-3L；3rd Generation 650V20A SiC Schottky Barrier Diode RevolutionarysemiconductormaterialSiliconCarbide(SiC) InsulatedpackageTO-3PFaninsulationvoltageof2.5kV Noreverserecovery Highspeedswitchingperformance Temperatureindependentswitchingbehavior Systemcost/sizesavingsduetoreducedcoolingrequirements Junctiontempera	SANANSanan Optoelectronics Co., Ltd 三安光电三安光电股份有限公司	SANAN

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SDS065J020W3

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Marking：DS065020W3；Package：TO-3PF-3L；3rd Generation 650V20A SiC Schottky Barrier Diode

RevolutionarysemiconductormaterialSiliconCarbide(SiC) InsulatedpackageTO-3PFaninsulationvoltageof2.5kV Noreverserecovery Highspeedswitchingperformance Temperatureindependentswitchingbehavior Systemcost/sizesavingsduetoreducedcoolingrequirements Junctiontempera

SANANSanan Optoelectronics Co., Ltd

三安光电三安光电股份有限公司

SANAN

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深圳市中福国际管理有限公司	SDS06U150STU	SEC	20+	TO-220F	20	进口原装现货,假一赔十	询价
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更多SDS065J020W3供应商更新时间2025-5-30 11:00:00

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