智能功率模块(IPM)，600V/20A 三相全桥驱动

SDM20G60FC是高度集成、高可靠性的三相无刷直流电机驱动电路，主要应用于较低功率的变频驱动，如空调、电冰箱、洗衣机等。其内置了3相全桥高压栅极驱动电路和6个低损耗IGBT管。\n\n SDM20G60FC内部集成了欠压、短路等各种保护功能，提供了优异的保护和宽泛的安全工作范围。由于每一相都有一个独立的负直流端，其电流可以分别单独检测。\n\n SDM20G60FC采用了高绝缘和易导热设计，提供了非常紧凑的封装体，使用非常方便，尤其适合要求紧凑安装的场合。 • 内置6个低损耗600V/20A IGBT；\n• 内置高压栅极驱动电路(HVIC)；\n• 内置欠压保护、过流保护和温度输出；\n• 内置带限流电阻的自举二极管；\n• 完全兼容3.3V和5V的MCU的接口，高电平有效；\n• 3个独立的负直流端用于变频器电流检测的应用；\n• 报警信号：对应于低侧欠压保护和短路保护；\n• 封装体采用 Al2O3  DBC设计，热阻极低；\n• 绝缘级别：1500Vrms/min。;

Silan

士兰微

智能功率模块(IPM)，600V/20A 三相全桥驱动

SDM20G60FC8是高度集成、高可靠性的三相无刷直流电机驱动电路，主要应用于较低功率的变频驱动，如空调压缩机、工业伺服器、低功率变频器等。其内置了3相全桥高压栅极驱动电路和6个低损耗IGBT管。\n\n SDM20G60FC8内部集成了欠压、短路等各种保护功能，提供了优异的保护和宽泛的安全工作范围。由于每一相都有一个独立的负直流端，其电流可以分别单独检测。\n\n SDM20G60FC8采用了高绝缘和易导热设计，提供了非常紧凑的封装体，使用非常方便，尤其适合要求紧凑安装的场合。\n\n 内置6个低损耗600V/20A IGBT内置高压栅极驱动电路（HVIC）内置欠压保护、过流保护和温度输出内置带限流电阻的自举二极管完全兼容3.3V和5V的MCU的接口，高电平有效3个独立的负直流端用于变频器电流检测的应用报警信号：对应于低侧欠压保护和短路保护封装体采用Al2O3  DBC设计，热阻极低绝缘级别：1500Vrms/min;

Silan

士兰微

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES · Drain Current -ID= 20A@ TC= 25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= 600V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.155Ω(Max) @VGS= 10V DESCRIPTION · Switching Voltage Regulators

文件：350.1 Kbytes 页数：2 Pages

ISC

无锡固电

MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)

文件：242.62 Kbytes 页数：10 Pages

TOSHIBA

东芝