SD57120中文资料120W 28V 700 to 1000MHz LDMOS TRANSISTOR in push-pull package数据手册ST规格书
| 厂商型号 |
SD57120 |
| 参数属性 | SD57120 封装/外壳为M252；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频；产品描述：FET RF 65V 960MHZ M252 |
| 功能描述 | 120W 28V 700 to 1000MHz LDMOS TRANSISTOR in push-pull package |
| 封装外壳 | M252 |
| 制造商 | ST STMicroelectronics |
| 中文名称 | 意法半导体 意法半导体集团 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-25 15:50:00 |
| 人工找货 | SD57120价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
SD57120规格书详情
特性 Features
• In compliance with the 2002/95/EC european directive
• Excellent thermal stability
• POUT = 120W with 13dB gain @ 960MHz
• Common source configuration push-pull
• Internal input matching
• BeO free package
简介
SD57120属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由制造生产的SD57120晶体管 - FET，MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。
技术参数
更多- 产品编号：
SD57120
- 制造商：
STMicroelectronics
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
- 包装：
卷带（TR）
- 晶体管类型：
LDMOS
- 频率：
960MHz
- 增益：
14dB
- 额定电流（安培）：
14A
- 功率 - 输出：
120W
- 封装/外壳：
M252
- 供应商器件封装：
M252
- 描述：
FET RF 65V 960MHZ M252
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TI |
23+ |
NA |
20000 |
询价 | |||
TI |
25+ |
BGA |
8 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
询价 | ||
TI |
23+ |
BGA |
5000 |
原装正品,假一罚十 |
询价 | ||
ST |
22+ |
M252 |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
24+ |
BGA |
1 |
询价 | ||||
FUJITSU/富士通 |
21+ |
BGA |
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ST |
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TO-62 |
90000 |
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ST |
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TI |
23+ |
BGA |
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TI/德州仪器 |
24+ |
BGA |
1500 |
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