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SD5000I	文件：357.2 Kbytes Page：2 Pages	HIGH SPEED DMOS FET ANALOG SWITCHES AND SWITCH ARRAYS Description TheSD210DE/214DEareenhancement-modeMOSFETsdesignedforhighspeedlow-glitchswitchinginaudio,video, andhigh-frequencyapplications.TheSD214DEisnormallyusedfor±10-Vanalogswitching.TheseMOSFETsutilizelateral constructiontoachievelowcapacitanceandult	LINEAR Linear Integrated Systems	LINEAR
SD5000I	文件：505.48 Kbytes Page：3 Pages	QUAD N-CHANNEL LATERAL DMOS SWITCH ZENER PROTECTED Description TheSD5000/5400seriesofmonolithicswitchesfeaturesfourindividualdouble-diffusedenhancement-modeMOSFETsbuiltonacommonsubstrate.Thesebidirectionaldevicesprovidelowon-resistanceandlowinterelectrodecapacitancestominimizeinsertionlossandcrosstalk. Features •	LINEAR Linear Integrated Systems	LINEAR
SD5000I	文件：253.43 Kbytes Page：1 Pages	Quad N-Channel Enhancement Mode DMOS Lateral Switches Description: TheSD5000/SD5400seriesofmonolithicswitchesfeaturesfourindividualdouble-diffusedenhancement-modeMOSFETsbuiltonacommonsubstrate.Thesebidirectionaldevicesprovidelowon-resistanceandlowinterelectrodecapacitancestominimizeinsertionlossandcrosstalk. Built	MICROSS Micross Components	MICROSS
SD5000I	文件：300 bytes Page：1 Pages	DMOS High Speed Switches;	ETC	ETC
SD5000I	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans MOSFET N-CH 20V 0.05A 16-Pin SBCDIP;	NJS New Jersey Semiconductor	NJS
SD5000I_SBDIP	文件：253.43 Kbytes Page：1 Pages	Quad N-Channel Enhancement Mode DMOS Lateral Switches Description: TheSD5000/SD5400seriesofmonolithicswitchesfeaturesfourindividualdouble-diffusedenhancement-modeMOSFETsbuiltonacommonsubstrate.Thesebidirectionaldevicesprovidelowon-resistanceandlowinterelectrodecapacitancestominimizeinsertionlossandcrosstalk. Built	MICROSS Micross Components	MICROSS
SD5000I S/B DIP 16L	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：16-DIP（0.300"，7.62mm）；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - JFET 描述：QUAD HIGH SPEED N-CHANNEL LATERA	ETC	ETC

技术参数

Minimum Operating Temperature：
-55°C
Maximum Power Dissipation：
500mW
Maximum Operating Temperature：
150°C
Maximum Gate Source Voltage：
-25V
Maximum Drain Source Voltage：
20V
Maximum Continuous Drain Current：
0.05A
Material：
Si
Configuration：
Quad
Channel Type：
N
Channel Mode：
Enhancement
Category：
Power MOSFET

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更多SD5000I供应商更新时间2025-7-29 17:22:00

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