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SD203DC	文件：27.53 Kbytes Page：2 Pages	High-Speed Analog N-Channel Enhancement-Mode DMOS FETS DESCRIPTION The SD200 series is manufactured utilizing Calogic’s proprietary DMOS design and processing techniques. The device is designed to operate well through 1 GHz while maintaining excellent frequency response, power gain, and low noise. The DMOS structure is an inherently low capacitance a 文件：27.53 Kbytes 页数：2 Pages	CALOGIC	CALOGIC
SD203N	文件：122.1 Kbytes Page：9 Pages	FAST RECOVERY DIODES Stud Version Features ■ High power FAST recovery diode series ■ 1.0 to 2.0 µs recovery time ■ High voltage ratings up to 2500V ■ High current capability ■ Optimized turn on and turn off characteristics ■ Low forward recovery ■ Fast and soft reverse recovery ■ Compression bonded encapsulation ■ Stud ve 文件：122.1 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
SD203N	文件：158.39 Kbytes Page：1 Pages	Super Fast Recovery Rectifier Super Fast Recovery Rectifier VRRM = 100-600V, IF(AV) = 60Amp,TRR = 60nS 文件：158.39 Kbytes 页数：1 Pages	TEL	TEL
SD203N/R04S10	文件：258.6 Kbytes Page：10 Pages	Fast Recovery Diodes (Stud Version), 200 A FEATURES • High power fast recovery diode series • 1.0 to 2.0 µs recovery time • High voltage ratings up to 2500 V • High current capability • Optimized turn-on and turn-off characteristics • Low forward recovery • Fast and soft reverse recovery • Compression bonded encapsulation • Stud v 文件：258.6 Kbytes 页数：10 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SD203N/R08S10	文件：258.6 Kbytes Page：10 Pages	Fast Recovery Diodes (Stud Version), 200 A FEATURES • High power fast recovery diode series • 1.0 to 2.0 µs recovery time • High voltage ratings up to 2500 V • High current capability • Optimized turn-on and turn-off characteristics • Low forward recovery • Fast and soft reverse recovery • Compression bonded encapsulation • Stud v 文件：258.6 Kbytes 页数：10 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SD203N/R10S10	文件：258.6 Kbytes Page：10 Pages	Fast Recovery Diodes (Stud Version), 200 A FEATURES • High power fast recovery diode series • 1.0 to 2.0 µs recovery time • High voltage ratings up to 2500 V • High current capability • Optimized turn-on and turn-off characteristics • Low forward recovery • Fast and soft reverse recovery • Compression bonded encapsulation • Stud v 文件：258.6 Kbytes 页数：10 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SD203N/R12S15	文件：258.6 Kbytes Page：10 Pages	Fast Recovery Diodes (Stud Version), 200 A FEATURES • High power fast recovery diode series • 1.0 to 2.0 µs recovery time • High voltage ratings up to 2500 V • High current capability • Optimized turn-on and turn-off characteristics • Low forward recovery • Fast and soft reverse recovery • Compression bonded encapsulation • Stud v 文件：258.6 Kbytes 页数：10 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SD203N/R14S15	文件：258.6 Kbytes Page：10 Pages	Fast Recovery Diodes (Stud Version), 200 A FEATURES • High power fast recovery diode series • 1.0 to 2.0 µs recovery time • High voltage ratings up to 2500 V • High current capability • Optimized turn-on and turn-off characteristics • Low forward recovery • Fast and soft reverse recovery • Compression bonded encapsulation • Stud v 文件：258.6 Kbytes 页数：10 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SD203N/R16S15	文件：258.6 Kbytes Page：10 Pages	Fast Recovery Diodes (Stud Version), 200 A FEATURES • High power fast recovery diode series • 1.0 to 2.0 µs recovery time • High voltage ratings up to 2500 V • High current capability • Optimized turn-on and turn-off characteristics • Low forward recovery • Fast and soft reverse recovery • Compression bonded encapsulation • Stud v 文件：258.6 Kbytes 页数：10 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SD203N/R20S20	文件：258.6 Kbytes Page：10 Pages	Fast Recovery Diodes (Stud Version), 200 A FEATURES • High power fast recovery diode series • 1.0 to 2.0 µs recovery time • High voltage ratings up to 2500 V • High current capability • Optimized turn-on and turn-off characteristics • Low forward recovery • Fast and soft reverse recovery • Compression bonded encapsulation • Stud v 文件：258.6 Kbytes 页数：10 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY

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晶体管资料

型号：
SD2D
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
性质：
低频或音频放大（LF）_功率放大（PA）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
110V
最大电流允许值：
2A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
最大耗散功率：
20W
放大倍数：
图片代号：
B-90
vtest：
110
htest：
999900
atest：
2
wtest：
20

技术参数

制式：
LTE CAT4
封装特征：
146-pin LCC
结构尺寸(mm)：
40.5*40.5*2.7mm
工作温度：
-30 to +75℃
CPU：
四核 ARM Cortex-A7 1.1GHZ
Memory：
默认4GB eMMC NAND+512MB LPDDR3
WIFI：
IEEE 802.11b/g/n
蓝牙：
BT 4.1(BR/EDR+LE)
分辨率：
默认最高1280*720
CDMA1X速率(Kbps)：
Max 153.6(DL)/ Max 153.6(UL)
EVDO速率(Mbps)：
Max 3.1(DL)/ Max 1.8(UL)
HSPA速率(Mbps)：
Max 7.2(DL)/ Max 5.76(UL)
DC-HSPA+速率(Mbps)：
Max 42(DL)/ Max 5.76(UL)
TDD-LTE速率(Mbps)：
Max 112(DL)/ Max 10(UL)
FDD-LTE速率(Mbps)：
Max 150(DL)/ Max 50(UL)
GPRS速率(Kbps)：
Max 85.6(DL)/ Max 85.6(UL)
EDGE速率(Kbps)：
Max 236.8(DL)/Max 236.8(UL)
SIM卡：
2组，3.0V/1.8V
UART：
2组
USB：
支持
Camera(主） MIPI：
2组
Camera(副） MIPI：
1组
LCD MIPI：
4组
供电电压：
3.5V~4.2V

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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