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U1730C	文件：502.78 Kbytes Page：11 Pages	TakeyourexpectationshigherwiththelatestLCRmeters	HPAgilent(Hewlett-Packard) 安捷伦科技安捷伦科技有限公司	HP
U1730C	文件：2.15651 Mbytes Page：11 Pages	TakeyourexpectationshigherwiththelatestLCRmeters	KEYSIGHTKeysight Technologies 是德科技是德科技（中国）有限公司	KEYSIGHT
UC1730	文件：261.91 Kbytes Page：6 Pages	ThermalMonitor	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
UC1730	文件：284.97 Kbytes Page：5 Pages	ThermalMonitor	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
UPA1730	文件：71.18 Kbytes Page：8 Pages	SWITCHINGP-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE DESCRIPTION TheµPA1730isP-ChannelMOSFieldEffectTransistordesignedforpowermanagementapplicationsofnotebookcomputersandLi-ionbatteryprotectioncircuit. FEATURES •Lowon-resistance RDS(on)1=9.5mΩMAX.(VGS=–10V,ID=–6.5A) RDS(on)2=13.5mΩMAX.(VGS=–4.5	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPA1730	文件：233.41 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING P-CHANNELPOWERMOSFET INDUSTRIALUSE	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPA1730G	文件：233.41 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING P-CHANNELPOWERMOSFET INDUSTRIALUSE	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPA1730G	文件：71.18 Kbytes Page：8 Pages	SWITCHINGP-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE DESCRIPTION TheµPA1730isP-ChannelMOSFieldEffectTransistordesignedforpowermanagementapplicationsofnotebookcomputersandLi-ionbatteryprotectioncircuit. FEATURES •Lowon-resistance RDS(on)1=9.5mΩMAX.(VGS=–10V,ID=–6.5A) RDS(on)2=13.5mΩMAX.(VGS=–4.5	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPA1730TP	文件：65.57 Kbytes Page：8 Pages	SWITCHINGP-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheµPA1730TPwhichhasaheatspreaderisaP-ChannelMOSFieldEffectTransistordesignedforpowermanagementapplicationsofnotebookcomputersandLi-ionbatteryprotectioncircuit. FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=9.5mΩMAX.(VGS=–10V,ID=–6.5A)	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPA1730TP	文件：199.94 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING P-CHANNELPOWERMOSFET FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=9.5mΩMAX.(VGS=–10V,ID=–6.5A) RDS(on)2=13.5mΩMAX.(VGS=–4.5V,ID=–6.5A) RDS(on)3=15.0mΩMAX.(VGS=–4.0V,ID=–6.5A) •LowCiss:Ciss=3800pFTYP. •Built-inG-Sprotectiondiode	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

详细参数

型号：
SD1730
功能描述：
射频双极电源晶体管 NPN 28V 30MHz
RoHS：
否
制造商：
M/A-COM Technology Solutions
配置：
Single 直流集电极/Base Gain hfe
Min：
40
最大工作频率：
30 MHz 集电极—发射极最大电压
VCEO：
25 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
4 V
集电极连续电流：
20 A
功率耗散：
250 W
封装/箱体：
Case 211-11
封装：
Tray

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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