SD1143分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
SD1143 |
| 参数属性 | SD1143 封装/外壳为M113；包装为带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频；产品描述：RF TRANS NPN 18V 175MHZ M113 |
| 功能描述 | RF & MICROWAVE TRANSISTORS |
| 封装外壳 | M113 |
| 文件大小 |
173.02 Kbytes |
| 页面数量 |
4 页 |
| 生产厂商 | Microsemi Corporation |
| 企业简称 |
MICROSEMI【美高森美】 |
| 中文名称 | 美高森美公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-7-2 10:05:00 |
| 人工找货 | SD1143价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
SD1143规格书详情
SD1143属于分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频。由美高森美公司制造生产的SD1143晶体管 - 双极（BJT）- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件，用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP，特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。
DESCRIPTION
The SD1143 is a 12.2 V Class C epitaxial silicon NPN planar
transistor designed primarily for VHF Communications. It withstands
very high VSWR under operating conditions.
KEY FEATURES
175 MHz
12.5 Volts
Common Emitter
POUT = 10 W Min.
GP = 10 dB Gain
APPLICATIONS/BENEFITS
VHF Mobile Applications
产品属性
更多- 产品编号：
SD1143-01
- 制造商：
Microsemi Corporation
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
- 包装：
带
- 晶体管类型：
NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
18V
- 频率 - 跃迁：
175MHz
- 增益：
10dB
- 功率 - 最大值：
20W
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
5 @ 250mA，5V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
2A
- 工作温度：
200°C
- 安装类型：
底座安装
- 封装/外壳：
M113
- 供应商器件封装：
M113
- 描述：
RF TRANS NPN 18V 175MHZ M113
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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