SD1143分立半导体产品晶体管-双极（BJT）-射频规格书PDF中文资料
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
SD1143三极管、SD1143晶体管、SD1143晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性质：
高频放大（AH）_功率放大 （L）
- 封装形式：
贴片封装
- 极限工作电压：
36V
- 最大电流允许值：
2A
- 最大工作频率：
<1MHZ或未知
- 引脚数：
4
- 可代换的型号：
3DK106B,
- 最大耗散功率：
37W
- 放大倍数：
β>5
- 图片代号：
G-105
- vtest：
36
- htest：
999900
- atest：
2
- wtest：
37
SD1143规格书详情
DESCRIPTION
The SD1143 is a 12.2 V Class C epitaxial silicon NPN planar
transistor designed primarily for VHF Communications. It withstands
very high VSWR under operating conditions.
KEY FEATURES
175 MHz
12.5 Volts
Common Emitter
POUT = 10 W Min.
GP = 10 dB Gain
APPLICATIONS/BENEFITS
VHF Mobile Applications
SD1143属于分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频。美高森美公司制造生产的SD1143晶体管 - 双极（BJT）- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件，用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP，特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。
产品属性
- 产品编号：
SD1143-01
- 制造商：
Microsemi Corporation
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
- 包装：
带
- 晶体管类型：
NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
18V
- 频率 - 跃迁：
175MHz
- 增益：
10dB
- 功率 - 最大值：
20W
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
5 @ 250mA，5V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
2A
- 工作温度：
200°C
- 安装类型：
底座安装
- 封装/外壳：
M113
- 供应商器件封装：
M113
- 描述：
RF TRANS NPN 18V 175MHZ M113
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
23+ |
M122 |
16900 |
支持样品,原装现货,提供技术支持! |
询价 | ||
ST |
22+ |
原厂原封 |
16900 |
支持样品 原装现货 提供技术支持! |
询价 | ||
13+ |
4648 |
原装分销 |
询价 | ||||
ST |
23+ |
高频管 |
850 |
专营高频管模块,全新原装! |
询价 | ||
ST |
23+ |
原厂原封 |
16900 |
正规渠道,只有原装! |
询价 | ||
ST |
23+ |
122 |
现货供应 |
询价 | |||
STUD |
21+ |
65230 |
询价 | ||||
Microsemi Corporation |
2022+ |
M113 |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
ST |
2022 |
93 |
原厂原装正品,价格超越代理 |
询价 | |||
APT |
24+25+/26+27+ |
TO-59.高频管 |
18800 |
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
询价 |
