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SD103B	文件：66.8 Kbytes Page：3 Pages	SCHOTTKYBARRIERDIODE Features •LowForwardVoltageDrop •GuardRingConstructionforTransientProtection •LowReverseRecoveryTime •LowReverseCapacitance •LeadFreeFinish,RoHSCompliant(Note2)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
SD103B	文件：121.92 Kbytes Page：3 Pages	SmallSignalSchottkyDiodes Features •LeadFreeFinish/RohsCompliant(Note1)(PSuffixdesignatesCompliant.Seeorderinginformation) •LowReverseRecoveryTime •LowReverseCapacitance •LowForwardVoltageDrop •GuardRingConstructionforTransientProtection	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
SD103B	文件：337.56 Kbytes Page：3 Pages	SCHOTTKYDIODES [ITTComponents] SCHOTTKYDIODES	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
SD103B	文件：34.06 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERDIODES	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
SD103B	文件：238.54 Kbytes Page：3 Pages	SmallSignalSchottkyBarrierDiodes SmallSignalSchottkyBarrierDiodes Features •Lowforwardvoltagedrop •Guardringconstructionfortransientprotection •Lowreverserecoverytime •Lowreversecapacitance •RoHScompliant	TAITRON TAITRON Components Incorporated	TAITRON
SD103B	文件：92.94 Kbytes Page：2 Pages	SMALLSIGNALSCHOTTKYDIODES FEATURES ◇Forgeneralpurposeapplications ◇MetalsiliconschottkybarrierdevicewhichisprotectedbyaPNjunctionguardring.ThelowforwardvoltagedropandfastswitchingmakeitidealforprotectionofMOSdevices,steering,biasingandcouplingdiodesforfastswitchingandlowlogicle	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
SD103B	文件：41.44 Kbytes Page：2 Pages	SMALLSIGNALSCHOTTKYBARRIESSWITCHINGDIODES FEATURES •LowForwardVoltageDrop •GuardRingConstructionforTransientProtection •LowReverseRecoveryTime •LowReverseCapacitance •BothnormalandPbfreeproductareavailable: Normal:80~95Sn,5~20Pb Pbfree:98.5Snabove	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
SD103B	文件：109.91 Kbytes Page：5 Pages	SmallSignalSchottkyDiodes FEATURES •TheSD103seriesisametal-on-siliconSchottkybarrierdevicewhichisprotectedbyaPNjunctionguardring •ThelowforwardvoltagedropandfastswitchingmakeitidealforprotectionofMOSdevices,steering,biasingandcouplingdiodesforfastswitchingandlowlogiclevelappl	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SD103B	文件：88.54 Kbytes Page：3 Pages	Smallsignalschottkydiodes Features ●LowReverseRecoveryTime ●LowReverseCapacitance ●LowForwardVoltageDrop ●GuardRingConstructionforTransientProtection	CHENYIShanghai Lunsure Electronic Tech 商朗电子上海商朗电子科技有限公司	CHENYI
SD103B	文件：121.99 Kbytes Page：2 Pages	SILICONSCHOTTKYBARRIERDIODES SILICONSCHOTTKYBARRIERDIODES forgeneralpurposeapplications TheSD103A,B,CisametalonsiliconSchottkybarrierdevicewhichisprotectedbyaPNjunctionguardring.ThelowforwardvoltagedropandfastswitchingmakeitidealforprotectionofMOSdevices,steering,biasingandcoupl	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC

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详细参数

型号：
SD103AWS-V-G
功能描述：
肖特基二极管与整流器 30mA 40 Volt
RoHS：
否
制造商：
Skyworks Solutions, Inc.
产品：
Schottky Diodes
峰值反向电压：
2 V
正向连续电流：
50 mA
配置：
Crossover Quad
正向电压下降：
370 mV
最大功率耗散：
75 mW
工作温度范围：
- 65 C to + 150 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
SOT-143
封装：
Reel

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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