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SCY991351DDR2G_ONSEMI/安森美半导体_两极晶体管 - BJT VARIBLE OFF TIME CTR佳斯泰科技

SCY991351DDR2G

图片仅供参考，请参阅产品规格书

订购数量	价格
1+	面议

厂家型号：
SCY991351DDR2G
产品分类：
IC芯片
生产厂商：
ON
库存数量：
2100
产品封装：
-
生产批号：
22+
库存类型：
优势库存
更新时间：
2025-7-25 15:00:00

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详细信息
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原厂料号：SCY991351DDR2G品牌：ON

芯片型号：
SCY991351DDR2G
规格书：
下载
企业简称：
ONSEMI【安森美半导体】详情
厂商全称：
ON Semiconductor
中文名称：
安森美半导体公司
资料说明：
两极晶体管 - BJT VARIBLE OFF TIME CTR

产品属性

类型
描述
型号：
SCY991351DDR2G
功能描述：
两极晶体管 - BJT VARIBLE OFF TIME CTR
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

供应商

企业：
深圳市佳斯泰科技有限公司
商铺：
进入商铺留言
联系人：
欧阳先生
手机：
15914147679
询价：
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0755-88606361/15914147679
传真：
0755-82781575
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