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SCTW100N65G2AG_ST/意法半导体_Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 100 A,20 mΩ (typ., TJ=25 °C), in an HiP247™ package斌能达电子
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深圳市斌能达电子科技有限公司
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朱生
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深圳市福田区上步工业区501栋405
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