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SCTH90N65G2V-7_STMICROELECTRONICS/意法半导体_Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 116 A, 18 m廓 (typ., TJ = 25 째C) in an H짼PAK?? package和润天下电子
- 详细信息
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产品属性
- 类型
描述
- 制造商编号
:SCTH90N65G2V-7
- 生产厂家
:意法
- Package
:H2PAK-7
- Grade
:Industrial
- VDSS_nom(V)
:650
- Drain Current (Dc)_max(A)
:116
- RDS(on)_max(@ VGS=20V)(Ω)
:0.024
- PTOT_max(W)
:484
- Qg_typ(nC)
:157
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