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SCTH40N120G2V-7中文资料意法半导体数据手册PDF规格书

SCTH40N120G2V-7
厂商型号

SCTH40N120G2V-7

功能描述

Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 62 mΩ typ., 36 A in an H²PAK-7 package

丝印标识

SCT40N120G2V

封装外壳

H2PAK-7

文件大小

369.15 Kbytes

页面数量

14

生产厂商 STMicroelectronics
企业简称

STMICROELECTRONICS意法半导体

中文名称

意法半导体集团官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-28 23:00:00

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SCTH40N120G2V-7规格书详情

Features

• Very high operating junction temperature capability (TJ = 175 °C)

• Very fast and robust intrinsic body diode

• Extremely low gate charge and input capacitance

• Source Kelvin pin for increased efficiency

Applications

• Switching mode power supply

• DC-DC converters

• Industrial motor control

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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