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SCT640B	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装封装/外壳：TO-220-3 类别：分立半导体产品晶闸管 - SCR 描述：SCR 600V 40A TO220B	SMCDIODESMC Diode Solutions Co. LTD 桑德斯微电子桑德斯微电子器件（南京）有限公司	SMCDIODE
SCT640C	文件：253.58 Kbytes Page：5 Pages	40ASCRs Withhighabilitytowithstandtheshockloadingoflargecurrent,SCT640/840providehighdv/dtratewithstrongresistancetoelectromagneticinterference.Theyareespeciallyrecommendedforuseonsolidstaterelay,motorcycle,powercharger,T-toolsetc.	SMCDIODESMC Diode Solutions Co. LTD 桑德斯微电子桑德斯微电子器件（南京）有限公司	SMCDIODE
SD640CS	文件：34.71 Kbytes Page：2 Pages	DPAKSURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIER(VOLTAGE-20to100VoltsCURRENT-6.0Amperes) VOLTAGE-20to100VoltsCURRENT-6.0Amperes FEATURES •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-O •Forsurfacemountedapplications •Lowprofilepackage •Built-instrainrelief •Metaltosiliconrectifiermajoritycarrierconduction •Lowpowerlos	PANJITPan Jit International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
SD640CS	文件：125.27 Kbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS	PANJITPan Jit International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
SD640CS	文件：71.26 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS	PANJITPan Jit International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
SD640CT	文件：41.66 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER(VOLTAGE-20to100VoltsCURRENT-6.0Amperes) VOLTAGE20to100VoltsCURRENT6.0Amperes FEATURES •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-O •Forsurfacemountedapplications •Lowprofilepackage •Built-instrainrelief •Lowpowerloss,Highefficiency •Highsurgecapacity •	PANJITPan Jit International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
SD640CT	文件：42.66 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS	PANJITPan Jit International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
SD640CT	文件：47.63 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS	PANJITPan Jit International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
SDR640CT	文件：320.99 Kbytes Page：2 Pages	80AMPS100-200VOLTS35nsecHYPERFASTCENTERTAPRECTIFIER	SSDI Solid States Devices, Inc	SSDI
SFH640	文件：124.48 Kbytes Page：7 Pages	Optocoupler,PhototransistorOutput,withBaseConnection,300VBVCEO DESCRIPTION TheSFH640hasaGaAsinfraredemittingdiodeemitter,whichisopticallycoupledtoasiliconplanarphototransistordetector,andisincorporatedinaplasticDIP-6package. Itfeaturesahighcurrenttransferratio,lowcouplingcapacitance,andhighisolationvoltage. Thecoupli	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SFH640	文件：90.6 Kbytes Page：3 Pages	PHOTOTRANSISTOR5.3KVTRIOSHIGHBVCERVOLTAGEOPTOCOUPLER DESCRIPTION TheSFH640isanoptocouplerwithveryhighBVCER,aminimumof300volts.ItisintendedfortelecommunicationsapplicationsoranyDCapplicationrequiringahighblockingvoltage.TheSFH640isa“betterthan”replacementforH11D1. FEATURES •CTRatIF=10mA,VCE=10V SFH6	SIEMENSSiemens Ltd 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
SFH640	文件：203.92 Kbytes Page：10 Pages	Optocoupler,PhototransistorOutput,WithBaseConnection,300VBVCEO DESCRIPTION TheSFH640hasaGaAsinfraredemittingdiodeemitter, whichisopticallycoupledtoasiliconplanarphototransistor detector,andisincorporatedinaplasticDIP-6package. Itfeaturesahighcurrenttransferratio,lowcoupling capacitance,andhighisolationvoltage. Thecou	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SFH640	文件：204.22 Kbytes Page：10 Pages	Optocoupler,PhototransistorOutput,WithBaseConnection,300VBVCEO DESCRIPTION TheSFH640hasaGaAsinfraredemittingdiodeemitter, whichisopticallycoupledtoasiliconplanarphototransistor detector,andisincorporatedinaplasticDIP-6package. Itfeaturesahighcurrenttransferratio,lowcoupling capacitance,andhighisolationvoltage. Thecou	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SFP640	文件：852.75 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelMOSFET	semiWell SemiWell Semiconductor	semiWell
SIHF640	文件：1.70972 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipation	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SiHF640	文件：6.75207 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFETDynamicdV/dtRatingRepetitiveAvalancheRatedFastSwitching DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipation	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
SIHF640	文件：168.14 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHF640L	文件：2.11507 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationsoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheD2PAKisasurfacemountpowerpackagecapableofaccommodatingdiesizeuptoHEX-4.Itprovidesthe	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHF640L	文件：237.05 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET FEATURES •Surfacemount •Low-profilethrough-hole •Availableintapeandreel •DynamicdV/dtrating •150°Coperatingtemperature •Fastswitching •Fullyavalancherated •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Thisdatas	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHF640S	文件：2.11507 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationsoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheD2PAKisasurfacemountpowerpackagecapableofaccommodatingdiesizeuptoHEX-4.Itprovidesthe	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

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产品属性

产品编号：
SCT640B
制造商：
SMC Diode Solutions
类别：
分立半导体产品 > 晶闸管 - SCR
包装：
散装
电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm)：
460A @ 50Hz
SCR 类型：
标准恢复型
工作温度：
-40°C ~ 125°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220AB
描述：
SCR 600V 40A TO220B

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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