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SCT53600Q数据手册SCT中文资料规格书

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厂商型号

SCT53600Q

功能描述

具有反向电流保护的理想二极管控制器

制造商

SCT Silicontent Technology

中文名称

芯洲科技 芯洲科技(北京)股份有限公司

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-5 18:20:00

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SCT53600Q规格书详情

描述 Description

SCT53600Q是一款理想二极管控制器,与外部N沟道MOSFET配合使用,作为低损耗反向极性保护的理想二极管整流器,可替代肖特基二极管。SCT53600Q在4.7V至65V的宽电源电压范围内运行。该设备可以承受并保护负载免受低至-65V的负电源电压的损坏,并阻止反向电流流动,有助于简化汽车ISO7637保护的系统设计。SCT53600Q控制器通过电荷泵为外部N沟道MOSFET提供栅极驱动。该器件将外部MOSFET的正向电压降调节到20mV,可以在反向电流情况下快速关闭,在发生反向时提供MOSFET的非常快的关断(

特性 Features

• 具备汽车应用资格
• AEC-Q100合格,结果如下:
• -设备温度等级1:-40°C至125°C环境工作温度范围
• -设备CDM ESD分类等级C3B

• 4.8V至65V工作范围
• 额定–65V反向电压
• 集成驱动外部N沟道MOSFET的电荷泵
• 20mV阳极到阴极正向压降调节
• 12V栅极驱动电压
• 具有使能输入
• 驱动外部高边N沟道MOSFET
• 1μA关机电流(EN=低)
• 60μA工作静态电流(EN=高)
• 2.3-A峰值栅极关断电流
• 反向电流可在0.75us内快速关闭
• 使用合适的TVS二极管满足汽车ISO7637瞬态要求
• 提供SOT23-6L封装

应用 Application

• 汽车电池保护
• 冗余电源
• 工业工厂自动化
• 企业电源
• 网络通信电源系统
• 服务器

技术参数

  • 制造商编号

    :SCT53600Q

  • 生产厂家

    :SCT

  • 最高输入电压(V)

    :65V

  • 通道数

    :1

  • 集成或驱动MOS类型

    :外部驱动Nmos

  • 关断/睡眠电流(uA)

    :1

  • 驱动开启电流(uA)

    :7000

  • 驱动关断时间(uS)

    :-

  • 反极性关断驱动电流(A)

    :2.3

  • 特性/功能

    :汽车负载突降兼容,使能,反向电流阻断,反极性保护

  • 封装

    :SOT23-6

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