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SCT4013DW7

丝印:SCT4013DW7;Package:TO-263-7L;N-channel SiC power MOSFET

● Features 1) Low on-resistance 2) Fast switching speed 3) Fast reverse recovery 4) Easy to parallel 5) Simple to drive 6) Pb-free lead plating ; RoHS compliant ● Application ・Induction heating ・Motor drives ・Solar inverters ・DC/DC converters ・Switch mode power supplies

文件:2.37261 Mbytes 页数:15 Pages

ROHM

罗姆

SCT4013DW7

750V, 98A, 7引脚THD, 沟槽结构, SiC MOSFET

SCT4013DW7是一款750V、98A的Nch SiC功率MOSFET。该产品采用沟槽结构实现了更低的导通电阻,\n\n\n\nROHM的第4代SiC MOSFET\n\nSCT4系列是改善了短路耐受时间并实现了业界超低导通电阻的第4代产品。与以往产品相比,该系列产品的导通电阻降低了约40%,开关损耗降低了约50%。另外,该产品还支持更容易处理的15V栅-源电压,使应用产品的设计更容易。 • Low on-resistance\n• Fast switching speed\n• Fast reverse recovery\n• Easy to parallel\n• Simple to drive\n• Pb-free lead plating ; RoHS compliant;

ROHM

罗姆

SCT4013DW7TL

TO-263-7L

ST

SC-USB-SPI-PICO

开发板

SCW05A-05

DIP24

MEANWELL

明纬电子

上传:深圳市烨弘轩电子有限公司

技术参数

  • 封装:

    TO-263-7L

  • 包装数量:

    1000

  • 最小独立包装数量:

    1000

  • 包装形态:

    Taping

  • RoHS:

    Yes

  • Drain-source Voltage[V]:

    750

  • Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]:

    13

  • Generation:

    4th Gen (Trench)

  • Drain Current[A]:

    98

  • Total Power Dissipation[W]:

    267

  • Junction Temperature(Max.)[°C]:

    175

  • Storage Temperature (Min.)[°C]:

    -40

  • Storage Temperature (Max.)[°C]:

    175

  • Package Size [mm]:

    10.2x15.4 (t=4.7)

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多SCT4013DW7供应商 更新时间2025-12-11 15:09:00