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SCT3160KW7HR	文件：1.41608 Mbytes Page：17 Pages	丝印：SCT3160KW7；Package：TO-263-7L；Automotive Grade N-channel SiC power MOSFET Features 5) Easy to parallel 6) Simple to drive 7) Pb-free lead plating ; RoHS compliant 1) Qualified to AEC-Q101 2) Low on-resistance 3) Fast switching speed 4) Fast reverse recovery Applications ・Automobile 文件：1.41608 Mbytes 页数：17 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
SCT3160KW7HR	文件：300 bytes Page：1 Pages	1200V, 17A, 7-pin SMD, Trench-structure, Silicon-carbide (SiC) MOSFET for Automotive AEC-Q101 qualified automotive grade product. SCT3160KW7HR is an SiC (Silicon Carbide) trench MOSFET. Features include high voltage resistance, low ON resistance, and fast switching speed. • Qualified to AEC-Q101\n• Low on-resistance\n• Fast switching speed\n• Fast reverse recovery\n• Easy to parallel\n• Simple to drive\n• Pb-free lead plating ; RoHS compliant;	ROHM 罗姆	ROHM
SCT3160KW7	文件：1.53571 Mbytes Page：14 Pages	N-channel SiC power MOSFET 文件：1.53571 Mbytes 页数：14 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
SCT4013DW7TL	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-263-7L	ST 上传：深圳市斌腾达科技有限公司	ST
SC-USB-SPI-PICO	文件：0 bytes Page：0 Pages	开发板	TI 德州仪器上传：深圳市鼎欣微电子有限公司	TI

技术参数

封装：
TO-263-7L
包装数量：
1000
最小独立包装数量：
1000
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Drain-source Voltage[V]：
1200
Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]：
160
Generation：
3rd Gen (Trench)
Drain Current[A]：
17
Total Power Dissipation[W]：
100
Junction Temperature(Max.)[°C]：
175
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
175
Package Size [mm]：
10.2x15.4 (t=4.7)
Common Standard：
AEC-Q101 (Automotive Grade)

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市星宇佳科技有限公司	SCT3160KW7TL	ROHM(罗姆)	20+	TO-263-7	1000		询价
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