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SCT3105KRHR	文件：1.40555 Mbytes Page：17 Pages	丝印：SCT3105KR；Package：TO-247-4L；Automotive Grade N-channel SiC power MOSFET Features 5) Easy to parallel 6) Simple to drive 7) Pb-free lead plating ; RoHS compliant 1) Qualified to AEC-Q101 2) Low on-resistance 3) Fast switching speed 4) Fast reverse recovery Application ・Automobile ・Switch mode power supplies 文件：1.40555 Mbytes 页数：17 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
SCT3105KRHR	文件：300 bytes Page：1 Pages	1200V, 24A, 4-pin THD, Trench-structure, Silicon-carbide (SiC) MOSFET for Automotive AEC-Q101 qualified automotive grade product. SCT3105KRHR is an SiC (Silicon Carbide) trench MOSFET. Features include high voltage resistance, low ON resistance, and fast switching speed. • Qualified to AEC-Q101\n• Low on-resistance\n• Fast switching speed\n• Fast reverse recovery\n• Easy to parallel\n• Simple to drive\n• Pb-free lead plating ; RoHS compliant;	ROHM 罗姆	ROHM
STC3105	文件：326.57 Kbytes Page：23 Pages	Battery monitor IC with alarm output for gas gauge applications 文件：326.57 Kbytes 页数：23 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STC3105IQT	文件：326.57 Kbytes Page：23 Pages	Battery monitor IC with alarm output for gas gauge applications 文件：326.57 Kbytes 页数：23 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
SWFC3105	文件：303.99 Kbytes Page：3 Pages	Single Window Single Mode Wideband Fiber Coupler 文件：303.99 Kbytes 页数：3 Pages	OPLINK	OPLINK

技术参数

封装：
TO-247-4L
包装数量：
450
最小独立包装数量：
30
包装形态：
Tube
RoHS：
Yes
Drain-source Voltage[V]：
1200
Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]：
105
Generation：
3rd Gen (Trench)
Drain Current[A]：
24
Total Power Dissipation[W]：
134
Junction Temperature(Max.)[°C]：
175
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
175
Package Size [mm]：
16x23.45 (t=5.2)
Common Standard：
AEC-Q101 (Automotive Grade)

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更多SCT3105KRHR供应商更新时间2026-1-25 17:30:00

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