丝印：SCT2280KE；Package：TO-247N；Automotive Grade N-channel SiC power MOSFET

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罗姆

N-channel SiC power MOSFET

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SiC（碳化硅）MOSFET

基于SiC的平面型MOSFET。（SiC-SBD非一体型） 其特征是高耐压、低导通电阻、高速开关。 • Low on-resistance\n• Fast switching speed\n• Fast reverse recovery\n• Easy to parallel\n• Simple to drive\n• Pb-free lead plating ; RoHS compliant;

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1200V, 14A, THD, 车载用SiC-MOSFET

采用SiC材质的平面型MOSFET，具有高耐压、低导通电阻、高速开关的特点，是符合AEC-Q101标准的高可靠性车载级产品。 • Low on-resistance\n• Fast switching speed\n• Fast reverse recovery\n• Easy to parallel\n• Simple to drive\n• Pb-free lead plating ; RoHS compliant\n• Qualified to AEC-Q101;

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