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SCS312AM	文件：300 bytes Page：1 Pages	SiC（碳化硅）肖特基势垒二极管可降低开关损耗，可高速开关。 • Shorter recovery time\n• Reduced temperature dependence\n• High-speed switching possible\n• High surge current capability;	ROHM 罗姆	ROHM
SCS312AM	文件：961.54 Kbytes Page：6 Pages	丝印：SCS312AM；Package：TO-220FM；SiC Schottky Barrier Diode 文件：961.54 Kbytes 页数：6 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
SCS312AMC	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-2 整包；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODES SILICON CARBIDE	ROHM 罗姆	ROHM
SD312	文件：35.38 Kbytes Page：3 Pages	High-Speed Analog N-Channel DMOS FETs Improved On -Resistance 文件：35.38 Kbytes 页数：3 Pages	Calogic	Calogic
SD312DE	文件：35.38 Kbytes Page：3 Pages	High-Speed Analog N-Channel DMOS FETs Improved On -Resistance 文件：35.38 Kbytes 页数：3 Pages	Calogic	Calogic
SDA312A	文件：52.78 Kbytes Page：2 Pages	10 AMPS 5 usec STANDARD RECOVERY 3 PHASE BRIDGE ASSY FEATURES: • Recovery: 5 :sec Maximum • 50 to 1000 V Blocking Voltage • Average Output Current 10 Amps • Low Reverse Leakage Current • Glass Passivated Rectifiers • Hermetically Sealed Discretes • Aluminum Case for Maximum Thermal Conductivity • TX and TXV Level Screening Available • Consu 文件：52.78 Kbytes 页数：2 Pages	SSDI	SSDI

技术参数

封装：
TO-220FM2L
包装数量：
1000
最小独立包装数量：
50
包装形态：
Tube
RoHS：
Yes
Grade：
Standard
Reverse Voltage[V]：
650
Continuous Forward Current[A]：
12
Generation：
3rd Gen
Total Power Dissipation[W]：
36
Junction Temperature(Max.)[°C]：
175
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
175
Package Size [mm]：
10.16x15.87 (t=4.9)

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多SCS312AM供应商更新时间2025-12-16 10:10:00

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