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SCS308AHG	文件：300 bytes Page：1 Pages	Silicon carbide Schottky Barrier Diode Shorter recovery time, enabling high-speed switching. ·Shorter recovery time\n·Reduced temperature dependence\n·High-speed switching possible\n·High surge current capability;	ROHM 罗姆	ROHM
SCS308AHGC9	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-2；包装：管件类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：SHORTER RECOVERY TIME, ENABLING	Rohm Semiconductor	Rohm Semiconductor
SCS308AJ	文件：672.2 Kbytes Page：6 Pages	SiC Schottky Barrier Diode 文件：672.2 Kbytes 页数：6 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
SCS308AM	文件：964.55 Kbytes Page：6 Pages	SiC Schottky Barrier Diode 文件：964.55 Kbytes 页数：6 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
SCS308AP	文件：1.0227 Mbytes Page：7 Pages	SiC Schottky Barrier Diode 文件：1.0227 Mbytes 页数：7 Pages	ROHM 罗姆	ROHM

技术参数

Reverse Voltage[V]：
650
Continuous Forward Current[A]：
8
Total Power Dissipation[W]：
57
Junction Temperature(Max.)[°C]：
175
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
175

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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