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SLIM-MOX308RD	文件：439.45 Kbytes Page：5 Pages	Currentpulselimiters	OHMITEOHMITE MANUFACTURING COMPANY 欧敏欧敏电阻制造公司	OHMITE
SMH308B	文件：70.88 Kbytes Page：2 Pages	3.0AMPSURFACEMOUNTHIGHEFFICIENCYRECTIFIERS	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣电子唯圣电子有限公司	GWSEMI
SMH308C	文件：70.88 Kbytes Page：2 Pages	3.0AMPSURFACEMOUNTHIGHEFFICIENCYRECTIFIERS	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣电子唯圣电子有限公司	GWSEMI
SMPJ308	文件：213.13 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelSiliconJunctionField-EffectTransistors SmallOutline(SurfaceMount)PackageDevices	InterFET InterFET Corporation	InterFET
SNP-B308	文件：416.94 Kbytes Page：4 Pages	MachineryPower	SKYNET Skynet Electronic Copyright	SKYNET
SNP-E308	文件：478.8 Kbytes Page：4 Pages	Medical&ITEGeneralPurpose	SKYNET Skynet Electronic Copyright	SKYNET
SNP-E308-M	文件：478.8 Kbytes Page：4 Pages	Medical&ITEGeneralPurpose	SKYNET Skynet Electronic Copyright	SKYNET
SNP-Z308	文件：331.54 Kbytes Page：4 Pages	GeneralPurpose	SKYNET Skynet Electronic Copyright	SKYNET
SR308	文件：48.97 Kbytes Page：2 Pages	3Ampschottkybarrierrectifier50to100volts Features •LowSwitchingNoise •LowForwardVoltageDrop •HighCurrentCapability •HighSurgeCurrentCapability	CHENYIShanghai Lunsure Electronic Tech 商朗电子上海商朗电子科技有限公司	CHENYI
SR308	文件：158.51 Kbytes Page：2 Pages	3AmpSchottkyBarrierRectifier50to100Volts VOLTAGERANGE20to100VoltsCURRENT3.0Ampere FEATURES ●Fastswitching ●Lowforwardvoltage ●Lowpowerlossforhighefficiency ●Highsurgecapability ●Hightemperaturesolderingguaranteed 250℃/10seconds,0.373”(9.5mm)leadlength	PFSShenzhen Ping Sheng Electronics Co., Ltd. 平盛电子深圳市平盛电子有限公司	PFS

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技术参数

封装：
TO-220ACGE
包装数量：
1000
最小独立包装数量：
50
包装形态：
Tube
RoHS：
Yes
Grade：
Standard
Reverse Voltage[V]：
650
Continuous Forward Current[A]：
8
Generation：
3rd Gen
Total Power Dissipation[W]：
57
Junction Temperature(Max.)[°C]：
175
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
175
Package Size [mm]：
10.16x19.17 (t=4.44)

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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